JFET, MMBFJ177LT1G, Canal-P, Simple SOT-23, 3 broches Simple
- Code commande RS:
- 163-0963
- Référence fabricant:
- MMBFJ177LT1G
- Marque:
- onsemi
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
300,00 €
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360,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,10 € | 300,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 163-0963
- Référence fabricant:
- MMBFJ177LT1G
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de canal | P | |
| Idss Drain-source Courant de coupure | 1.5 to 20mA | |
| Tension Drain Grille maximum | 25V c.c. | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Configuration | Simple | |
| Résistance Drain Source maximum | 300 Ω | |
| Type de montage | CMS | |
| Type de boîtier | SOT-23 | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Capacitance Source Grille ON | 11pF | |
| Dimensions | 3.04 x 1.4 x 1.01mm | |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C | |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C | |
| Largeur | 1.4mm | |
| Hauteur | 1.01mm | |
| Longueur | 3.04mm | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de canal P | ||
Idss Drain-source Courant de coupure 1.5 to 20mA | ||
Tension Drain Grille maximum 25V c.c. | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Configuration Simple | ||
Résistance Drain Source maximum 300 Ω | ||
Type de montage CMS | ||
Type de boîtier SOT-23 | ||
Nombre de broches 3 | ||
Capacitance Source Grille ON 11pF | ||
Dimensions 3.04 x 1.4 x 1.01mm | ||
Température d'utilisation maximum +150 °C | ||
Température de fonctionnement minimum -55 °C | ||
Largeur 1.4mm | ||
Hauteur 1.01mm | ||
Longueur 3.04mm | ||
- Pays d'origine :
- CN
Transistor JFET canal P, ON Semiconductor
Transistors JFET
Une gamme de dispositifs à semi-conducteurs discrets JFET (transistor à effet de champ à jonction) et HEMT/HFET (transistor à haute mobilité d'électrons/jonction hétéro-bipolaire FET).