JFETs

"JFET
Un JFET est un dispositif à quatre bornes, qui sont appelées porte, drain, source et corps. La borne de corps est toujours connectée à la source. Il existe deux types de JFET : canal N et canal P.
Que signifie JFET ?
JFET est l'acronyme de Junction Field-Effect Transistor (transistor de jonction à effet de champ)
Fabrication de JFET à canal N
Le nom "canal N" signifie que les électrons sont les porteurs de charge majoritaire. Pour former le canal N, des semi-conducteurs de type N sont utilisés comme base et entourés de semi-conducteurs de type P aux deux extrémités. Ces deux régions P sont électriquement reliées ensemble avec un contact ohmique à la grille. Deux autres bornes sortent des extrémités opposées pour le drain et la source.
Fabrication de JFET à canal P
Le nom "canal P" signifie que les trous sont les porteurs de charge majoritaire. Pour former le canal P, des semi-conducteurs de type P sont utilisés comme base et entourés de semi-conducteurs de type N aux deux extrémités. Ces deux régions N sont électriquement reliées ensemble avec un contact ohmique à la grille. Deux autres bornes sortent des extrémités opposées pour le drain et la source.
Caractéristiques et avantages
• Impédance d'entrée élevée
• Dispositif commandé par tension
• Haut degré d'isolation entre l'entrée et la sortie
• Moins de bruit
Sous quel nom sont-ils également connus ?
JUGFET
Où sont utilisés les transistors JFET ?
Les transistors JFET offrent de nombreuses applications dans l'électronique et la communication. Ils peuvent être utilisés comme un commutateur à commande électronique pour commander l'alimentation électrique d'une charge, et comme amplificateurs.
Quelle est la différence entre un transistor JFET et un BJT (transistor à jonction bipolaire) ?
La principale différence entre un JFET et un BJT est le flux porteur de charge majoritaire dans le transistor à effet de champ tandis que le transistor BJT (bipolaire) offre à la fois des flux porteurs de charge majoritaire et minoritaire.
Qu'est-ce que le dopage de semi-conducteurs ?
Le dopage est le processus consistant à introduire des impuretés étrangères dans des semi-conducteurs intrinsèques pour changer leurs propriétés électriques. Les atomes trivalents utilisés pour doper le silicium font du semi-conducteur intrinsèque un semi-conducteur de type P. Les atomes pentavalents utilisés pour doper le silicium font du semi-conducteur intrinsèque un semi-conducteur de type N.