Transistor ToshibaCanal-Type N, Canal-Amplificateur à faible bruit pour fréquences audio, 10 V Type de jonction 14 mA,

Voir l’ensemble des JFET

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

519,00 €

HT

624,00 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • 3 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 +0,173 €519,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:
236-3554
Référence fabricant:
2SK209-GR(TE85L,F)
Marque:
Toshiba
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Toshiba

Sous type

Amplificateur à faible bruit pour fréquences audio

Type de canal

Type N

Type de produit

Transistor

Tension Drain Source maximum Vds

10V

Configuration

Type de jonction

Type de Boitier

S-MINI

Température minimum de fonctionnement

25°C

Nombre de broches

3

Dissipation de puissance maximum Pd

150mW

Tension maximale de source de la grille Vgs

-50 V

Courant de source du drain Ids

14 mA

Température d'utilisation maximum

125°C

Normes/homologations

RoHS

Série

2SK209

Standard automobile

Non

Le transistor Toshiba à effet de champ est composé du matériau en silicium et du type de jonction à canal N. Il est principalement utilisé dans les applications d'amplificateur à faible bruit de fréquence audio.

Niveau sonore faible.

Boîtier de petite taille

Nos clients ont également consulté