Transistor ToshibaCanal-Type N, Canal-Amplificateur à faible bruit pour fréquences audio, 10 V Type de jonction 14 mA,
- Code commande RS:
- 236-3556
- Référence fabricant:
- 2SK209-GR(TE85L,F)
- Marque:
- Toshiba
Prix dégressifs sur quantité
Sous-total (1 paquet de 25 unités)*
9,475 €
HT
11,375 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- 4 125 unité(s) expédiée(s) à partir du 27 mars 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 0,379 € | 9,48 € |
| 50 - 75 | 0,372 € | 9,30 € |
| 100 - 225 | 0,337 € | 8,43 € |
| 250 - 975 | 0,33 € | 8,25 € |
| 1000 + | 0,303 € | 7,58 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 236-3556
- Référence fabricant:
- 2SK209-GR(TE85L,F)
- Marque:
- Toshiba
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Toshiba | |
| Type de produit | Transistor | |
| Type de canal | Type N | |
| Sous type | Amplificateur à faible bruit pour fréquences audio | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 10V | |
| Configuration | Type de jonction | |
| Type de Boitier | S-MINI | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -50 V | |
| Température minimum de fonctionnement | 25°C | |
| Courant de source du drain Ids | 14 mA | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 150mW | |
| Température d'utilisation maximum | 125°C | |
| Série | 2SK209 | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Toshiba | ||
Type de produit Transistor | ||
Type de canal Type N | ||
Sous type Amplificateur à faible bruit pour fréquences audio | ||
Tension Drain Source maximum Vds 10V | ||
Configuration Type de jonction | ||
Type de Boitier S-MINI | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -50 V | ||
Température minimum de fonctionnement 25°C | ||
Courant de source du drain Ids 14 mA | ||
Nombre de broches 3 | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 150mW | ||
Température d'utilisation maximum 125°C | ||
Série 2SK209 | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor Toshiba à effet de champ est composé du matériau en silicium et du type de jonction à canal N. Il est principalement utilisé dans les applications d'amplificateur à faible bruit de fréquence audio.
Niveau sonore faible.
Boîtier de petite taille
Nos clients ont également consulté
- Transistor ToshibaCanal-Type N 10 V Type de jonction 14 mA,
- JFET ToshibaCanal-Type N 10 V Simple 1.2 to 3 mA, 3 broches SOT-346
- Transistor ToshibaCanal-Type N 5 broches SMV
- JFET ToshibaCanal-Type N 10 V Simple 0.3 to 0.75 mA, 3 broches SOT-346
- Amplificateur audio 2 ams OSRAM 110mW Suppression du bruit 85 °C 36 broches QFN
- Amplificateur RF4 broches 1615 MHz TSLP
- Amplificateur RF6 broches TSNP-6-2
- Amplificateur RF6 broches 1615 MHz TSLP
