Transistor ToshibaCanal-Type N, 10 V Type de jonction 14 mA, 5 broches SMV

Voir l’ensemble des JFET
Prix dégressifs sur quantité

Sous-total 50 unités (conditionné une bande continue)*

27,70 €

HT

33,25 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
En stock
  • Plus 1 925 unité(s) expédiée(s) à partir du 23 mars 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
50 - 750,554 €
100 - 2250,502 €
250 - 9750,492 €
1000 +0,452 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
Code commande RS:
236-3558P
Référence fabricant:
2SK2145-BL(TE85L,F)
Marque:
Toshiba
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Toshiba

Type de canal

Type N

Type de produit

Transistor

Tension Drain Source maximum Vds

10V

Configuration

Type de jonction

Type de Boitier

SMV

Courant de source du drain Ids

14 mA

Nombre de broches

5

Dissipation de puissance maximum Pd

300mW

Tension maximale de source de la grille Vgs

-50 V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Température d'utilisation maximum

125°C

Série

2SK2145

Normes/homologations

RoHS, JEITA, JEDEC

Standard automobile

Non

Le transistor Toshiba à effet de champ est composé du matériau en silicium et du type de jonction à canal N. Il est principalement utilisé dans les applications d'amplificateur à faible bruit de fréquence audio.

Niveau sonore faible.

Impédance d'entrée élevée

Nos clients ont également consulté