Transistor ToshibaCanal-Type N, 10 V Type de jonction 14 mA, 5 broches SMV
- Code commande RS:
- 236-3558
- Référence fabricant:
- 2SK2145-BL(TE85L,F)
- Marque:
- Toshiba
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 0,565 € | 14,13 € |
| 50 - 75 | 0,554 € | 13,85 € |
| 100 - 225 | 0,502 € | 12,55 € |
| 250 - 975 | 0,492 € | 12,30 € |
| 1000 + | 0,452 € | 11,30 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 236-3558
- Référence fabricant:
- 2SK2145-BL(TE85L,F)
- Marque:
- Toshiba
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Toshiba | |
| Type de canal | Type N | |
| Type de produit | Transistor | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 10V | |
| Configuration | Type de jonction | |
| Type de Boitier | SMV | |
| Nombre de broches | 5 | |
| Courant de source du drain Ids | 14 mA | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -50 V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 300mW | |
| Température d'utilisation maximum | 125°C | |
| Normes/homologations | RoHS, JEITA, JEDEC | |
| Série | 2SK2145 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Toshiba | ||
Type de canal Type N | ||
Type de produit Transistor | ||
Tension Drain Source maximum Vds 10V | ||
Configuration Type de jonction | ||
Type de Boitier SMV | ||
Nombre de broches 5 | ||
Courant de source du drain Ids 14 mA | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -50 V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 300mW | ||
Température d'utilisation maximum 125°C | ||
Normes/homologations RoHS, JEITA, JEDEC | ||
Série 2SK2145 | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor Toshiba à effet de champ est composé du matériau en silicium et du type de jonction à canal N. Il est principalement utilisé dans les applications d'amplificateur à faible bruit de fréquence audio.
Niveau sonore faible.
Impédance d'entrée élevée
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