JFET ToshibaCanal-Type N, Canal-JFET, 10 V Simple 1.2 to 3 mA, 3 broches SOT-346

Sous-total 10 unités (conditionné une bande continue)*

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Options de conditionnement :
Code commande RS:
760-3126P
Référence fabricant:
2SK209-Y(TE85L,F)
Marque:
Toshiba
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Marque

Toshiba

Sous type

JFET

Type de produit

JFET

Type de canal

Type N

Tension Drain Source maximum Vds

10V

Configuration

Simple

Type de montage

Surface

Type de Boitier

SOT-346

Courant de source du drain Ids

1.2 to 3 mA

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

1kΩ

Tension maximale de source de la grille Vgs

-30 V

Dissipation de puissance maximum Pd

150mW

Température d'utilisation maximum

125°C

Hauteur

1.1mm

Longueur

2.9mm

Normes/homologations

No

Largeur

1.5 mm

Standard automobile

Non

JFET canal N Toshiba


Transistors JFET


Une gamme de dispositifs à semi-conducteurs discrets JFET (transistor à effet de champ à jonction) et HEMT/HFET (transistor à haute mobilité d'électrons/jonction hétéro-bipolaire FET).

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