JFET ToshibaCanal-Type N, Canal-JFET, 10 V Simple 1.2 to 3 mA, 3 broches SOT-346

Voir l’ensemble des JFET

Sous-total 10 unités (conditionné une bande continue)*

2,78 €

HT

3,34 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
En stock
  • Plus 2 530 unité(s) expédiée(s) à partir du 23 mars 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
10 +0,278 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
Code commande RS:
760-3126P
Référence fabricant:
2SK209-Y(TE85L,F)
Marque:
Toshiba
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Toshiba

Type de canal

Type N

Sous type

JFET

Type de produit

JFET

Tension Drain Source maximum Vds

10V

Configuration

Simple

Type de montage

Surface

Type de Boitier

SOT-346

Tension maximale de source de la grille Vgs

-30 V

Dissipation de puissance maximum Pd

150mW

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Résistance Drain Source maximum Rds

1kΩ

Courant de source du drain Ids

1.2 to 3 mA

Nombre de broches

3

Température d'utilisation maximum

125°C

Longueur

2.9mm

Normes/homologations

No

Hauteur

1.1mm

Largeur

1.5 mm

Standard automobile

Non

JFET canal N Toshiba


Transistors JFET


Une gamme de dispositifs à semi-conducteurs discrets JFET (transistor à effet de champ à jonction) et HEMT/HFET (transistor à haute mobilité d'électrons/jonction hétéro-bipolaire FET).

Nos clients ont également consulté