JFET ToshibaCanal-N, Canal-JFET, 10 V Simple 1.2 to 3 mA, 3 broches SOT-346
- Code commande RS:
- 760-3126P
- Référence fabricant:
- 2SK209-Y(TE85L,F)
- Marque:
- Toshiba
Sous-total 10 unités (conditionné une bande continue)*
4,34 €
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 10 + | 0,434 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 760-3126P
- Référence fabricant:
- 2SK209-Y(TE85L,F)
- Marque:
- Toshiba
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Toshiba | |
| Type de produit | JFET | |
| Sous type | JFET | |
| Type de canal | N | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 10V | |
| Configuration | Simple | |
| Type de montage | En surface | |
| Type de Boitier | SOT-346 | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 150mW | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -30V | |
| Courant de source du drain Ids | 1.2 to 3 mA | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1kΩ | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 125°C | |
| Largeur | 1.5mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 2.9mm | |
| Hauteur | 1.1mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Toshiba | ||
Type de produit JFET | ||
Sous type JFET | ||
Type de canal N | ||
Tension Drain Source maximum Vds 10V | ||
Configuration Simple | ||
Type de montage En surface | ||
Type de Boitier SOT-346 | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 150mW | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -30V | ||
Courant de source du drain Ids 1.2 to 3 mA | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1kΩ | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 125°C | ||
Largeur 1.5mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 2.9mm | ||
Hauteur 1.1mm | ||
Standard automobile Non | ||
JFET canal N Toshiba
Transistors JFET
Une gamme de dispositifs à semi-conducteurs discrets JFET (transistor à effet de champ à jonction) et HEMT/HFET (transistor à haute mobilité d'électrons/jonction hétéro-bipolaire FET).