Transistor bipolaire à grille isolée Non ToshibaCanal-Type N, 30 A, 600 V 1 MHz, 3 broches, TO-3P Traversant
- Code commande RS:
- 168-7766
- Référence fabricant:
- GT30J121
- Marque:
- Toshiba
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 50 + | 3,143 € | 157,15 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 168-7766
- Référence fabricant:
- GT30J121
- Marque:
- Toshiba
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Toshiba | |
| Type de produit | Transistor bipolaire à grille isolée | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 30A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 600V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 170W | |
| Type de Boitier | TO-3P | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de canal | Type N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Vitesse de découpage | 1MHz | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | ±20 V | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 2.45V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Toshiba | ||
Type de produit Transistor bipolaire à grille isolée | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 30A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 600V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 170W | ||
Type de Boitier TO-3P | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de canal Type N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Vitesse de découpage 1MHz | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO ±20 V | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 2.45V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- JP
IGBT Discretes Toshiba
IGBT Discretes et modules, Toshiba
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.