IGBT, GT30J121, , 30 A, 600 V, TO-3P, 3 broches, Simple
- Code commande RS:
- 796-5058
- Référence fabricant:
- GT30J121
- Marque:
- Toshiba
Prix dégressifs sur quantité
Sous-total (1 unité)*
4,50 €
HT
5,40 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- Plus 22 unité(s) expédiée(s) à partir du 29 décembre 2025
- Plus 81 unité(s) expédiée(s) à partir du 05 janvier 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 24 | 4,50 € |
| 25 - 49 | 4,27 € |
| 50 - 199 | 4,03 € |
| 200 - 399 | 3,60 € |
| 400 + | 3,36 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 796-5058
- Référence fabricant:
- GT30J121
- Marque:
- Toshiba
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Toshiba | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 30 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 600 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±20V | |
| Dissipation de puissance maximum | 170 W | |
| Type de boîtier | TO-3P | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de canal | N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Vitesse de découpage | 1MHz | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Dimensions | 15.9 x 4.8 x 20mm | |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Toshiba | ||
Courant continu de Collecteur maximum 30 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 600 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum ±20V | ||
Dissipation de puissance maximum 170 W | ||
Type de boîtier TO-3P | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de canal N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Vitesse de découpage 1MHz | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Dimensions 15.9 x 4.8 x 20mm | ||
Température d'utilisation maximum +150 °C | ||
IGBT Discretes Toshiba
IGBT Discretes et modules, Toshiba
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.