Transistor bipolaire à grille isolée Non ToshibaCanal-Type N, 30 A, 600 V 1 MHz, 3 broches, TO-3P Traversant

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Code commande RS:
796-5058
Référence fabricant:
GT30J121
Marque:
Toshiba
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Marque

Toshiba

Courant continu de Collecteur maximum lc

30A

Type de produit

Transistor bipolaire à grille isolée

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

600V

Dissipation de puissance maximum Pd

170W

Type de Boitier

TO-3P

Type de montage

Traversant

Type de canal

Type N

Nombre de broches

3

Vitesse de découpage

1MHz

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

±20 V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

2.45V

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

IGBT Discretes Toshiba


IGBT Discretes et modules, Toshiba


Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.

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