IGBT Toshiba, canal N, 15 A, 600 V, 100 kHz, 3 broches , TO-220SIS, montage Traversant
- Code commande RS:
- 796-5046
- Référence fabricant:
- GT15J341
- Marque:
- Toshiba
Indisponible
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- Code commande RS:
- 796-5046
- Référence fabricant:
- GT15J341
- Marque:
- Toshiba
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Toshiba | |
| Type de produit | IGBT | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 15A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 600V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 30W | |
| Type de Boitier | TO-220SIS | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de canal | N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Vitesse de découpage | 100kHz | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | ±25 V | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 2V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Toshiba | ||
Type de produit IGBT | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 15A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 600V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 30W | ||
Type de Boitier TO-220SIS | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de canal N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Vitesse de découpage 100kHz | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO ±25 V | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 2V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
IGBT Discretes, Toshiba
IGBT Discretes & Modules, Toshiba
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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