IGBT ToshibaCanal-N, 15 A, 600 V, 3 broches, TO-220SIS Traversant

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Code commande RS:
168-7763
Référence fabricant:
GT15J341
Marque:
Toshiba
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Marque

Toshiba

Type de produit

IGBT

Type de canal

N

Courant continu de Collecteur maximum (lc)

15 A

Tension Collecteur Emetteur maximale(Vceo)

600 V

Nombre de broches

3

Type de Boitier

TO-220SIS

Type de montage

Traversant

Tension maximale de l'émetteur de grille (VGEO)

25 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Pays d'origine :
JP

IGBT Discretes, Toshiba


IGBT Discretes & Modules, Toshiba


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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