IGBT Non ToshibaCanal-N, 50 A, 600 V, 3 broches, TO-3P Traversant, Traversant
- Code commande RS:
- 796-5061
- Référence fabricant:
- GT50JR21
- Marque:
- Toshiba
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 796-5061
- Référence fabricant:
- GT50JR21
- Marque:
- Toshiba
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Toshiba | |
| Type de produit | IGBT | |
| Standard automobile | Non | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Collecteur maximum (lc) | 50 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximale(Vceo) | 600 V | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Type de Boitier | TO-3P | |
| Type de montage | Traversant, Traversant | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 2 V | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille (VGEO) | 25 V | |
| Température d'utilisation maximum | 175 °C | |
| Dissipation de puissance maximum (Pd) | 230 W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55 °C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Toshiba | ||
Type de produit IGBT | ||
Standard automobile Non | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Collecteur maximum (lc) 50 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximale(Vceo) 600 V | ||
Nombre de broches 3 | ||
Type de Boitier TO-3P | ||
Type de montage Traversant, Traversant | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 2 V | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille (VGEO) 25 V | ||
Température d'utilisation maximum 175 °C | ||
Dissipation de puissance maximum (Pd) 230 W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55 °C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
IGBT Discretes, Toshiba
IGBT Discretes & Modules, Toshiba
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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