Module transistor IGBT, IGP50N60TXKSA1, , 90 A, 600 V, PG-TO220-3
- Code commande RS:
- 259-1524
- Référence fabricant:
- IGP50N60TXKSA1
- Marque:
- Infineon
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111,60 €
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 2,232 € | 111,60 € |
| 100 - 200 | 2,12 € | 106,00 € |
| 250 + | 1,986 € | 99,30 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 259-1524
- Référence fabricant:
- IGP50N60TXKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 90 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 600 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±20V | |
| Dissipation de puissance maximum | 333 W | |
| Nombre de transistors | 3 | |
| Type de boîtier | PG-TO220-3 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Courant continu de Collecteur maximum 90 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 600 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum ±20V | ||
Dissipation de puissance maximum 333 W | ||
Nombre de transistors 3 | ||
Type de boîtier PG-TO220-3 | ||
L'IGBT à faible perte d'Infineon est doté d'une capacité de commutation parallèle facile grâce au coefficient de température positif dans Vcesat. Il offre une grande robustesse et un comportement stable à la température. Il s'agit d'une diode contrôlée par émetteur antiparallèle très souple et de récupération rapide.
Température de jonction maximale 175 °C
Temps de résistance aux courts-circuits : 5 microsecondes
Faible IEM
Faible charge de grille
Distribution de paramètres très étroite
Temps de résistance aux courts-circuits : 5 microsecondes
Faible IEM
Faible charge de grille
Distribution de paramètres très étroite