IGBT, GT60J323(Q), , 60 A, 600 V, TO-3PLH, 3 broches, Simple

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Code commande RS:
184-521
Référence fabricant:
GT60J323(Q)
Marque:
Toshiba
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Marque

Toshiba

Courant continu de Collecteur maximum

60 A

Tension Collecteur Emetteur maximum

600 V

Tension Grille Emetteur maximum

±25V

Type de boîtier

TO-3PLH

Type de montage

Traversant

Type de canal

N

Nombre de broches

3

Configuration du transistor

Simple

Dimensions

20.5 x 5.2 x 26mm

Température d'utilisation maximum

+150 °C

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Pays d'origine :
JP

IGBT Discretes Toshiba



IGBT Discretes et modules, Toshiba


Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.

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