IGBT, GT40WR21,Q(O, , 40 A, 1800 V, TO-3P, 3 broches, Simple

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Code commande RS:
891-2746P
Référence fabricant:
GT40WR21,Q(O
Marque:
Toshiba
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Marque

Toshiba

Courant continu de Collecteur maximum

40 A

Tension Collecteur Emetteur maximum

1800 V

Tension Grille Emetteur maximum

±25V

Dissipation de puissance maximum

375 W

Type de boîtier

TO-3P

Type de montage

Traversant

Type de canal

N

Nombre de broches

3

Vitesse de découpage

1.8MHz

Configuration du transistor

Simple

Dimensions

15.5 x 4.5 x 20mm

Capacité de grille

4500pF

Température d'utilisation maximum

175 °C

Pays d'origine :
JP

IGBT Discretes Toshiba



IGBT Discretes et modules, Toshiba


Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.

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