IGBT, GT40WR21,Q(O, , 40 A, 1800 V, TO-3P, 3 broches, Simple
- Code commande RS:
- 891-2746P
- Référence fabricant:
- GT40WR21,Q(O
- Marque:
- Toshiba
Indisponible
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- Code commande RS:
- 891-2746P
- Référence fabricant:
- GT40WR21,Q(O
- Marque:
- Toshiba
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Toshiba | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 40 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 1800 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±25V | |
| Dissipation de puissance maximum | 375 W | |
| Type de boîtier | TO-3P | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de canal | N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Vitesse de découpage | 1.8MHz | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Dimensions | 15.5 x 4.5 x 20mm | |
| Capacité de grille | 4500pF | |
| Température d'utilisation maximum | 175 °C | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Toshiba | ||
Courant continu de Collecteur maximum 40 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 1800 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum ±25V | ||
Dissipation de puissance maximum 375 W | ||
Type de boîtier TO-3P | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de canal N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Vitesse de découpage 1.8MHz | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Dimensions 15.5 x 4.5 x 20mm | ||
Capacité de grille 4500pF | ||
Température d'utilisation maximum 175 °C | ||
- Pays d'origine :
- JP
IGBT Discretes Toshiba
IGBT Discretes et modules, Toshiba
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.
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