IGBT, IRG8P25N120KDPBF, , 40 A, 1200 V, TO-247AC, 3 broches, Simple

Transistors IGBT optimisés conçus pour les applications de fréquence moyenne avec réponse rapide et pour fournir à l'utilisateur le plus haut rendement disponible. Utilisation de diodes FRED optimisées pour fournir les meilleures performances avec les IGBT.

Transistors IGBT, International Rectifier

International Rectifier offre un vaste portefeuille d'IGBT (transistors bipolaires à grille isolée) allant de 300 à 1 200 V basés sur différentes technologies permettant de réduire les pertes en commutation et conduction. Le but est d'accroître le rendement, de réduire les problèmes thermiques et d'améliorer la densité de puissance. La société offre également une large gamme de matrices IGBT conçues spécifiquement pour les modules de puissances moyenne à forte. Pour les modules exigeant une très grande fiabilité, des matrices en métal avant soudables peuvent être utilisées pour éliminer les fils de connexion et permettre le refroidissement double face pour des performances thermiques élevées, une grande fiabilité et un rendement optimisé.