IGBT, SIHG47N60EF-GE3

Le transistor MOSFET TO-247AC-3 à canal N traversant de Vishay est un nouveau produit d'âge avec une tension source de drain de 600 V et une tension source de grille maximale de Il est doté d'une résistance drain-source de 65 mohms à une tension de grille-source de 10 V. Il est doté d'une dissipation de puissance maximale de 379W et d'un courant de drain continu de 47A. Il est doté d'une tension d'entraînement de 10 V. Ce produit a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.

Transistor MOSFET à diode à corps rapide utilisant la technologie série E.
• Sans halogène
Robustesse accrue grâce à un faible QRR
Ron x Qg à faible valeur de mérite (FOM)
• Faible capacité d'entrée (Ciss)
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 150 °C.
Réduction des TRR, QRR et IRRM
Charge de grille ultra-faible (Qg)

• diodes électroluminescentes (LED)
Inverseurs 3 niveaux
• Ponts c.a./c.c.
Alimentations ATX
• Eclairage haute intensité (HID)
LLC
Ponts à décalage de phase (ZVS)
Alimentations à correction du facteur de puissance (PFC)
• alimentations de serveur et de télécommunication
Inverseurs PV solaires

ANSI/ESD S20.20:2014
BS EN 61340-5-1:2007
Testé par l'ISU