MOSFET canal N Vishay 30 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-247AC E Series
- Code commande RS:
- 735-208
- Référence fabricant:
- SIHG100N65E-GE3
- Marque:
- Vishay
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 unité)*
5,32 €
HT
6,38 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- Plus 484 unité(s) expédiée(s) à partir du 14 septembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 5,32 € |
| 10 - 49 | 3,30 € |
| 50 - 99 | 2,54 € |
| 100 + | 1,97 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 735-208
- Référence fabricant:
- SIHG100N65E-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 30A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Type de Boitier | TO-247AC | |
| Série | E Series | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.1Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 208W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 41nC | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 20.82mm | |
| Hauteur | 5.31mm | |
| Largeur | 15.87mm | |
| Normes/homologations | RoHS Compliant | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 30A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Type de Boitier TO-247AC | ||
Série E Series | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.1Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 208W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 41nC | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 20.82mm | ||
Hauteur 5.31mm | ||
Largeur 15.87mm | ||
Normes/homologations RoHS Compliant | ||
Standard automobile Non | ||
Nos clients ont également consulté
- MOSFET N Vishay 88 A 650 V Enrichissement TO-247AC E Series
- MOSFET N Vishay 22 A 650 V Enrichissement TO-247AC SIHG
- MOSFET de puissance N Vishay 34 A 650 V Enrichissement TO-247AC EF
- MOSFET N Vishay 33 A 650 V Enrichissement TO-247AC SF Series
- MOSFET N Vishay 74 A 650 V Enrichissement TO-247AC SF Series
- MOSFET N Vishay 64 A 650 V Enrichissement TO-247AC SF Series
- MOSFET N Vishay 46 A 650 V Enrichissement TO-247AC SF Series
- MOSFET canal Type N Simple Vishay 47 A 650 V, TO-247AC E Non