MOSFET canal N Vishay 30 A 500 V Enrichissement, 3 broches, TO-247AC SiHG32N50D

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Code commande RS:
787-9207
Référence fabricant:
SiHG32N50D-GE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

30A

Tension Drain Source maximum Vds

500V

Type de Boitier

TO-247AC

Série

SiHG32N50D

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

150mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

390W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

64nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

-30V, +30V

Tension directe Vf

1.2V

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

15.87mm

Largeur

5.31mm

Normes/homologations

No

Hauteur

20.82mm

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET canal N, 500 V, Vishay Semiconductor


Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor


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