- Code commande RS:
- 787-9207
- Référence fabricant:
- SiHG32N50D-GE3
- Marque:
- Vishay
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Unité | Prix par unité |
1 - 9 | 5,08 € |
10 - 49 | 4,77 € |
50 - 99 | 4,32 € |
100 - 249 | 4,07 € |
250 + | 3,81 € |
- Code commande RS:
- 787-9207
- Référence fabricant:
- SiHG32N50D-GE3
- Marque:
- Vishay
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Transistor MOSFET canal N, 500 V, Vishay Semiconductor
Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Type de canal | N |
Courant continu de Drain maximum | 30 A |
Tension Drain Source maximum | 500 V |
Type de boîtier | TO-247AC |
Type de montage | Traversant |
Nombre de broches | 3 |
Résistance Drain Source maximum | 150 mΩ |
Mode de canal | Enrichissement |
Tension de seuil minimale de la grille | 3V |
Dissipation de puissance maximum | 390 W |
Configuration du transistor | Simple |
Tension Grille Source maximum | -30 V, +30 V |
Largeur | 5.31mm |
Température d'utilisation maximum | +150 °C |
Matériau du transistor | Si |
Longueur | 15.87mm |
Charge de Grille type @ Vgs | 64 nC @ 10 V |
Nombre d'éléments par circuit | 1 |
Hauteur | 20.82mm |
Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
- Code commande RS:
- 787-9207
- Référence fabricant:
- SiHG32N50D-GE3
- Marque:
- Vishay