IGBT Non InfineonCanal-Type N, 40 A, 1200 V, 3 broches, TO-247 Traversant

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752-8347
Référence fabricant:
IKW40N120H3FKSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Courant continu de Collecteur maximum lc

40A

Type de produit

IGBT

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

1200V

Dissipation de puissance maximum Pd

483W

Type de Boitier

TO-247

Type de montage

Traversant

Type de canal

Type N

Nombre de broches

3

Température minimum de fonctionnement

-40°C

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

±20 V

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

2.05V

Température d'utilisation maximum

175°C

Série

TrenchStop

Normes/homologations

JEDEC, RoHS

Standard automobile

Non

Transistors IGBT TrenchStop d'Infineon, 1 100 à 1 600 V


Une gamme de transistors IGBT d'Infineon avec des tensions nominales du collecteur-émetteur de 1 100 à 1 600 V comportant la technologie TrenchStop™. La gamme comprend des circuits avec diode intégrée haute vitesse, antiparallèle à récupération rapide.

• Plage de tensions de l'émetteur-collecteur 1 100 à 1 600 V

• VCEsat très faible

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• Courant d'extrémité court

• IEM faible

• Température de jonction maximale 175 °C

IGBT Discretes et modules, Infineon


Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.

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