IGBT, IKW15N120H3FKSA1, , 30 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple

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Options de conditionnement :
Code commande RS:
826-8223
Référence fabricant:
IKW15N120H3FKSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Courant continu de Collecteur maximum

30 A

Tension Collecteur Emetteur maximum

1200 V

Tension Grille Emetteur maximum

±20V

Dissipation de puissance maximum

217 W

Type de boîtier

A-247

Type de montage

Traversant

Type de canal

N

Nombre de broches

3

Configuration du transistor

Simple

Dimensions

16.03 x 5.16 x 21.1mm

Température de fonctionnement minimum

-40 °C

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Transistors IGBT TrenchStop d'Infineon, 1 100 à 1 600 V


Une gamme de transistors IGBT d'Infineon avec des tensions nominales du collecteur-émetteur de 1 100 à 1 600 V comportant la technologie TrenchStop™. La gamme comprend des circuits avec diode intégrée haute vitesse, antiparallèle à récupération rapide.

• Plage de tensions de l'émetteur-collecteur 1 100 à 1 600 V
• VCEsat très faible
• Pertes de mise hors tension faibles
• Courant d'extrémité court
• IEM faible
• Température de jonction maximale 175 °C


IGBT Discretes et modules, Infineon


Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.

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