JFET ToshibaCanal-Type N, Canal-JFET, 10 V Simple 0.3 to 0.75 mA, 3 broches SOT-346

Voir l’ensemble des JFET
Prix dégressifs sur quantité

Sous-total (1 paquet de 10 unités)*

3,58 €

HT

4,30 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
En stock
  • 130 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
  • Plus 2 500 unité(s) expédiée(s) à partir du 05 mars 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
10 - 900,358 €3,58 €
100 - 1900,24 €2,40 €
200 - 3900,217 €2,17 €
400 +0,214 €2,14 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
Code commande RS:
760-3123
Référence fabricant:
2SK208-R(TE85L,F)
Marque:
Toshiba
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Toshiba

Type de produit

JFET

Sous type

JFET

Type de canal

Type N

Tension Drain Source maximum Vds

10V

Configuration

Simple

Type de montage

Surface

Type de Boitier

SOT-346

Tension maximale de source de la grille Vgs

-30 V

Dissipation de puissance maximum Pd

100mW

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

100kΩ

Courant de source du drain Ids

0.3 to 0.75 mA

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Température d'utilisation maximum

125°C

Longueur

2.9mm

Normes/homologations

No

Hauteur

1.1mm

Largeur

1.5 mm

Standard automobile

Non

JFET canal N Toshiba


Transistors JFET


Une gamme de dispositifs à semi-conducteurs discrets JFET (transistor à effet de champ à jonction) et HEMT/HFET (transistor à haute mobilité d'électrons/jonction hétéro-bipolaire FET).

Nos clients ont également consulté