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Composants discrets
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JFET
JFET, PMBFJ308,215, Canal-N, 25 V Simple SOT-23 (TO-236AB), 3 broches Simple
Code commande RS:
626-3308
Référence fabricant:
PMBFJ308,215
Marque:
NXP
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Ce produit n’est plus distribué
Code commande RS:
626-3308
Référence fabricant:
PMBFJ308,215
Marque:
NXP
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Caractéristiques techniques
PMBFJ308 PMBFJ309 N-channel silicon field-effect transistors Data Sheet
Déclaration de conformité RoHS
Déclaration de conformité
Pays d'origine :
CN
Transistor JFET canal N, NXP
Transistors JFET
Une gamme de dispositifs à semi-conducteurs discrets JFET (transistor à effet de champ à jonction) et HEMT/HFET (transistor à haute mobilité d'électrons/jonction hétéro-bipolaire FET).
Attribut
Valeur
Type de canal
N
Idss Drain-source Courant de coupure
12 to 60mA
Tension Drain Source maximum
25 V
Tension Grille Source maximum
-25 V
Tension Drain Grille maximum
-25V
Configuration
Simple
Configuration du transistor
Simple
Résistance Drain Source maximum
50 Ω
Type de montage
CMS
Type de boîtier
SOT-23 (TO-236AB)
Nombre de broches
3
Dimensions
3 x 1.4 x 1mm
Température de fonctionnement minimum
-65 °C
Hauteur
1mm
Température d'utilisation maximum
+150 °C
Largeur
1.4mm
Longueur
3mm
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