JFET onsemiCanal-Type N, Canal-Commutateur canal N, Simple 5 mA, 3 broches SOT-23
- Code commande RS:
- 761-3684P
- Référence fabricant:
- MMBFJ112
- Marque:
- onsemi
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 100 - 225 | 0,192 € |
| 250 - 475 | 0,166 € |
| 500 - 975 | 0,146 € |
| 1000 + | 0,133 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 761-3684P
- Référence fabricant:
- MMBFJ112
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | JFET | |
| Type de canal | Type N | |
| Sous type | Commutateur canal N | |
| Configuration | Simple | |
| Type de montage | Surface | |
| Type de Boitier | SOT-23 | |
| Courant de source du drain Ids | 5 mA | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 350mW | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -35 V | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 50Ω | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 2.92mm | |
| Hauteur | 0.93mm | |
| Largeur | 1.3 mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit JFET | ||
Type de canal Type N | ||
Sous type Commutateur canal N | ||
Configuration Simple | ||
Type de montage Surface | ||
Type de Boitier SOT-23 | ||
Courant de source du drain Ids 5 mA | ||
Nombre de broches 3 | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 350mW | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -35 V | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 50Ω | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 2.92mm | ||
Hauteur 0.93mm | ||
Largeur 1.3 mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor JFET canal N, Fairchild Semiconductor
Transistors JFET
Une gamme de dispositifs à semi-conducteurs discrets JFET (transistor à effet de champ à jonction) et HEMT/HFET (transistor à haute mobilité d'électrons/jonction hétéro-bipolaire FET).