JFET, NE3514S02-A, Canal-N, 4 V Simple SO2, 4 broches Simple

Un transistor à haute mobilité d'électrons (HEMT, également connu sous le nom de structure hétéro ou jonction hétéro FET), est une jonction FET utilisant deux matériaux avec différents écarts de bande (par exemple, une jonction hétéro) en tant que canal au lieu de la région dopée utilisée dans un transistor MOSFET. Les transistors HEMT présentent une bonne caractéristique haute fréquence et sont généralement utilisés dans les applications RF à petit signal à faible bruit.
Les termes HEMT, HFET, HJ-FET et MODFET sont utilisés pour décrire les transistors de ce type.

Transistors JFET

Une gamme de dispositifs à semi-conducteurs discrets JFET (transistor à effet de champ à jonction) et HEMT/HFET (transistor à haute mobilité d'électrons/jonction hétéro-bipolaire FET).