JFET onsemiCanal-Type N, Canal-JFET, Simple 20 mA, 3 broches TO-92
- Code commande RS:
- 806-1753P
- Référence fabricant:
- J111
- Marque:
- onsemi
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|---|---|
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 806-1753P
- Référence fabricant:
- J111
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Sous type | JFET | |
| Type de canal | Type N | |
| Type de produit | JFET | |
| Configuration | Simple | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de Boitier | TO-92 | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Courant de source du drain Ids | 20 mA | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 30Ω | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 350mW | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 5.33mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 5.2mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Sous type JFET | ||
Type de canal Type N | ||
Type de produit JFET | ||
Configuration Simple | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de Boitier TO-92 | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Courant de source du drain Ids 20 mA | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 30Ω | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 350mW | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 5.33mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 5.2mm | ||
Standard automobile Non | ||
On Semiconductor J111 est un transistor de chopper JFET conçu pour les applications de commutation analogique et de chopper. La source et le drain sont interchangeables.
Le transistor J111 est fourni dans un boîtier traversant à 3 broches TO-92.
Versions disponibles :
806-1753 - lot de 50
166-2910 - sac de 10 000
Transistor JFET canal N, Fairchild Semiconductor
Transistors JFET
Une gamme de dispositifs à semi-conducteurs discrets JFET (transistor à effet de champ à jonction) et HEMT/HFET (transistor à haute mobilité d'électrons/jonction hétéro-bipolaire FET).
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