JFET onsemiCanal-N, Canal-JFET, 30 V Simple 1.2 to 3 mA, 3 broches SOT-883
- Code commande RS:
- 867-3287P
- Référence fabricant:
- TF412ST5G
- Marque:
- onsemi
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 500 - 950 | 0,211 € |
| 1000 - 2450 | 0,183 € |
| 2500 - 4950 | 0,161 € |
| 5000 + | 0,146 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 867-3287P
- Référence fabricant:
- TF412ST5G
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | JFET | |
| Sous type | JFET | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Configuration | Simple | |
| Type de montage | En surface | |
| Type de Boitier | SOT-883 | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Courant de source du drain Ids | 1.2 to 3 mA | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 100mW | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 1.08mm | |
| Hauteur | 0.41mm | |
| Largeur | 0.68mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de canal N | ||
Type de produit JFET | ||
Sous type JFET | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Configuration Simple | ||
Type de montage En surface | ||
Type de Boitier SOT-883 | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Courant de source du drain Ids 1.2 to 3 mA | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 100mW | ||
Nombre de broches 3 | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 1.08mm | ||
Hauteur 0.41mm | ||
Largeur 0.68mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor JFET canal N, ON Semiconductor
Transistors JFET
Une gamme de dispositifs à semi-conducteurs discrets JFET (transistor à effet de champ à jonction) et HEMT/HFET (transistor à haute mobilité d'électrons/jonction hétéro-bipolaire FET).