Mémoire flash, Parallèle Porte séparée, 4 Mo Microchip 55.70 ns, 32 broches, PDIP

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Code commande RS:
352-119
Référence fabricant:
SST39SF040-70-4C-PHE
Marque:
Microchip
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Marque

Microchip

Taille de la mémoire

4Mo

Type de produit

Mémoire flash

Type d'interface

Parallèle

Type de Boitier

PDIP

Nombre de broches

32

Type de cellule

Porte séparée

Tension d'alimentation minimum

4.5V

Tension d'alimentation maximum

5.5V

Type de timing

Temps d'écriture automatique

Température minimum de fonctionnemen

-40°C

Température d'utilisation maximum

85°C

Longueur

1.65pouce

Normes/homologations

RoHS Compliant

Hauteur

0.2pouce

Largeur

0.55pouce

Courant d'alimentation

25mA

Standard automobile

Non

Série

Multi-Purpose Flash

Temps d'accès aléatoire maximum

55.70ns

La Microchip CMOS Multi-Purpose Flash (MPF) est fabriquée à l'aide de la technologie CMOS Super Flash haute performance exclusive à SST. La conception de la cellule à grille séparée et l'injecteur à effet tunnel à oxyde épais permettent d'améliorer la fiabilité et la fabricabilité par rapport à d'autres approches. Le SST39SF040 écrit (programme ou effacement) avec une alimentation de 4,5 à 5,5 V et est conforme aux brochages standard JEDEC pour les mémoires x8.

Fiabilité supérieure avec une endurance typique de 100 000 cycles

Conservation des données pendant plus de 100 ans

Faible consommation d'énergie à 14 MHz

Courant actif 10 mA typique

Courant de veille 30 μA typique

Capacité d'effacement sectoriel avec des secteurs uniformes de 4 Koctets

Temps d'accès rapide à la lecture 55 ns et 70 ns

Adresse et données ancrées

Temporisation automatique de l'écriture avec génération interne de VPP

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