Mémoire flash, Parallèle Porte séparée, 4 Mo Microchip 55.70 ns, 32 broches, PDIP
- Code commande RS:
- 352-119
- Référence fabricant:
- SST39SF040-70-4C-PHE
- Marque:
- Microchip
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- 352-119
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- SST39SF040-70-4C-PHE
- Marque:
- Microchip
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Microchip | |
| Type de produit | Mémoire flash | |
| Taille de la mémoire | 4Mo | |
| Type d'interface | Parallèle | |
| Type de Boitier | PDIP | |
| Nombre de broches | 32 | |
| Type de cellule | Porte séparée | |
| Tension d'alimentation maximum | 5.5V | |
| Tension d'alimentation minimum | 4.5V | |
| Type de timing | Temps d'écriture automatique | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Température d'utilisation maximum | 85°C | |
| Largeur | 0.55pouce | |
| Normes/homologations | RoHS Compliant | |
| Longueur | 1.65pouce | |
| Hauteur | 0.2pouce | |
| Temps d'accès aléatoire maximum | 55.70ns | |
| Série | Multi-Purpose Flash | |
| Courant d'alimentation | 25mA | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Microchip | ||
Type de produit Mémoire flash | ||
Taille de la mémoire 4Mo | ||
Type d'interface Parallèle | ||
Type de Boitier PDIP | ||
Nombre de broches 32 | ||
Type de cellule Porte séparée | ||
Tension d'alimentation maximum 5.5V | ||
Tension d'alimentation minimum 4.5V | ||
Type de timing Temps d'écriture automatique | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Température d'utilisation maximum 85°C | ||
Largeur 0.55pouce | ||
Normes/homologations RoHS Compliant | ||
Longueur 1.65pouce | ||
Hauteur 0.2pouce | ||
Temps d'accès aléatoire maximum 55.70ns | ||
Série Multi-Purpose Flash | ||
Courant d'alimentation 25mA | ||
Standard automobile Non | ||
La Microchip CMOS Multi-Purpose Flash (MPF) est fabriquée à l'aide de la technologie CMOS Super Flash haute performance exclusive à SST. La conception de la cellule à grille séparée et l'injecteur à effet tunnel à oxyde épais permettent d'améliorer la fiabilité et la fabricabilité par rapport à d'autres approches. Le SST39SF040 écrit (programme ou effacement) avec une alimentation de 4,5 à 5,5 V et est conforme aux brochages standard JEDEC pour les mémoires x8.
Fiabilité supérieure avec une endurance typique de 100 000 cycles
Conservation des données pendant plus de 100 ans
Faible consommation d'énergie à 14 MHz
Courant actif 10 mA typique
Courant de veille 30 μA typique
Capacité d'effacement sectoriel avec des secteurs uniformes de 4 Koctets
Temps d'accès rapide à la lecture 55 ns et 70 ns
Adresse et données ancrées
Temporisation automatique de l'écriture avec génération interne de VPP
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