Mémoire flash, Série SPI Porte séparée, 8 Mo Microchip 8 ns, 8 broches, SOIC
- Code commande RS:
- 177-9657
- Référence fabricant:
- SST25VF080B-50-4I-S2AE
- Marque:
- Microchip
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
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- Code commande RS:
- 177-9657
- Référence fabricant:
- SST25VF080B-50-4I-S2AE
- Marque:
- Microchip
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Microchip | |
| Taille de la mémoire | 8Mo | |
| Type de produit | Mémoire flash | |
| Type d'interface | Série SPI | |
| Type de Boitier | SOIC | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Type de montage | Surface | |
| Fréquence d'horloge maximum | 50MHz | |
| Type de cellule | Porte séparée | |
| Tension d'alimentation minimum | 2.7V | |
| Tension d'alimentation maximum | 3.6V | |
| Type de timing | Synchrone | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Température d'utilisation maximum | 85°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 5mm | |
| Hauteur | 1.5mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Série | SST25VF080B | |
| Temps d'accès aléatoire maximum | 8ns | |
| Courant d'alimentation | 15mA | |
| Nombre de bits par mot | 8 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Microchip | ||
Taille de la mémoire 8Mo | ||
Type de produit Mémoire flash | ||
Type d'interface Série SPI | ||
Type de Boitier SOIC | ||
Nombre de broches 8 | ||
Type de montage Surface | ||
Fréquence d'horloge maximum 50MHz | ||
Type de cellule Porte séparée | ||
Tension d'alimentation minimum 2.7V | ||
Tension d'alimentation maximum 3.6V | ||
Type de timing Synchrone | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Température d'utilisation maximum 85°C | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 5mm | ||
Hauteur 1.5mm | ||
Standard automobile Non | ||
Série SST25VF080B | ||
Temps d'accès aléatoire maximum 8ns | ||
Courant d'alimentation 15mA | ||
Nombre de bits par mot 8 | ||
Les circuits SST25VF080B sont optimisés grâce à une fréquence d'utilisation améliorée pour une plus faible consommation électrique. Les mémoires Flash série SPI SST25VF080B sont fabriquées avec une technologie CMOS SuperFlash propriétaire SST hautes performances. La conception de cellules à grille fractionnée et l'injecteur de tunnellisation à oxyde épais permettent d'obtenir une meilleure fiabilité et capacité de fabrication qu'avec d'autres approches.
Opérations de lecture et d'écriture à tension d'alimentation simple : 2,7 - 3,6 V
Architecture d'interface série
Prise en charge d'horloge SPI 50 MHz (80 MHz plus disponible)
Fiabilité supérieure
Faible consommation :
Diminution du temps de programmation de circuit total par rapport aux opérations d'un programme octet
Détection de fin d'écriture
Logiciel interrogeant le bit BUSY dans le registre d'état
Lecture de l'état d'activité sur broche SO en mode AAI
Broche de maintien (HOLD#)
Suspend une séquence série en mémoire sans désélectionner le circuit
Protection en écriture (WP#)
Active/désactive la fonction de verrouillage du registre d'état
Protection en écriture par logiciel
Protection en écriture via des octets de protection de bloc sur le registre d'état
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