Mémoire flash, CFI NOR, 8 Mo Infineon 70 ns, 48 broches, TSOP
- Code commande RS:
- 193-8784
- Référence fabricant:
- S29AL008J70TFI013
- Marque:
- Infineon
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 193-8784
- Référence fabricant:
- S29AL008J70TFI013
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Taille de la mémoire | 8Mo | |
| Type de produit | Mémoire flash | |
| Type d'interface | CFI | |
| Type de Boitier | TSOP | |
| Nombre de broches | 48 | |
| Type de montage | Surface | |
| Type de cellule | NOR | |
| Tension d'alimentation maximum | 3.6V | |
| Tension d'alimentation minimum | 2.7V | |
| Type de timing | Asynchrone | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Température d'utilisation maximum | 85°C | |
| Hauteur | 1.05mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 12mm | |
| Standard automobile | AEC-Q100 | |
| Nombre de bits par mot | 8 | |
| Nombre de mots | 1M | |
| Courant d'alimentation | 20mA | |
| Temps d'accès aléatoire maximum | 70ns | |
| Série | S29AL008J | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Taille de la mémoire 8Mo | ||
Type de produit Mémoire flash | ||
Type d'interface CFI | ||
Type de Boitier TSOP | ||
Nombre de broches 48 | ||
Type de montage Surface | ||
Type de cellule NOR | ||
Tension d'alimentation maximum 3.6V | ||
Tension d'alimentation minimum 2.7V | ||
Type de timing Asynchrone | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Température d'utilisation maximum 85°C | ||
Hauteur 1.05mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 12mm | ||
Standard automobile AEC-Q100 | ||
Nombre de bits par mot 8 | ||
Nombre de mots 1M | ||
Courant d'alimentation 20mA | ||
Temps d'accès aléatoire maximum 70ns | ||
Série S29AL008J | ||
Le S29AL008J est une mémoire Flash de 8 Mbits, 3 V seulement organisée en 1 048 576 octets ou 24 288 mots. Le dispositif est proposé en boîtiers TSOP 48 billes à pas fin BGA (pas de 0,8 mm) et 48 broches. Les données à l'échelle du mot (x16) apparaissent sur DQ15-DQ0, les données à l'échelle de l'octet (x8) apparaissent sur DQ7-DQ0. Ce dispositif est conçu pour être programmé dans le système avec l'alimentation Vcc 3 V du système standard. Un VPP de 12,0 V ou un Vcc de 5 V ne sont pas nécessaires pour les opérations d'écriture ou d'effacement. Le dispositif peut également être programmé en programmateurs EPROM standard.
Le dispositif offre des temps d'accès jusqu'à 55 ns, ce qui permet aux microprocesseurs haute vitesse de fonctionner sans état d'attente. Pour éliminer les conflits de bus, le dispositif est doté de commandes séparées d'activation de puce (CE#), d'activation d'écriture (WE#) et d'activation de sortie (OE#).
La programmation du dispositif se produit en exécutant la séquence de commande de programme. Cela lance l'algorithme de programme intégré, un algorithme interne qui temporise automatiquement la largeur d'impulsion du programme et vérifie la marge de cellule correcte. Le mode de dérivation de déverrouillage facilite faster les temps de programmation en ne nécessitant que deux cycles d'écriture pour programmer des données au lieu de quatre.
L'effacement de l'appareil se produit en exécutant la séquence de commande d'effacement. Cela déclenche l'algorithme d'effacement intégré, un algorithme interne qui préprogramme automatiquement le tableau (s'il n'est pas déjà programmé) avant d'exécuter l'opération d'effacement. Duringerase, le dispositif multiplié automatiquement la largeur d'impulsion d'effacement et vérifie la marge de cellule correcte. Le système hôte peut détecter si une opération de programme ou d'effacement est terminée en observant la broche RY/BY#, ou en lisant les bits d'état DQ7 (interrogation de données#) et DQ6 (bascule). Une fois le programme ou le cycle d'effacement terminé, le dispositif est prêt à lire des données de tableau ou à accepter une autre commande.
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