Mémoire FRAM, FM25V02A-G, 256Kbit, 32K x 8 bits, SPI, SOIC, 8 broches, 3,6 V
- Code commande RS:
- 124-2987P
- Référence fabricant:
- FM25V02A-G
- Marque:
- Infineon
Indisponible
RS n'aura plus ce produit en stock.
- Code commande RS:
- 124-2987P
- Référence fabricant:
- FM25V02A-G
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Taille mémoire | 256Kbit | |
| Configuration | 32K x 8 bits | |
| Type d'interface | SPI | |
| Largeur de bus de données | 8bit | |
| Type de montage | CMS | |
| Type de boîtier | SOIC | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Dimensions | 4.97 x 3.98 x 1.47mm | |
| Tension d'alimentation fonctionnement maximum | 3,6 V | |
| Température d'utilisation maximum | +85 °C | |
| Nombre de mots | 32K | |
| Nombre de bits par mot | 8bit | |
| Température de fonctionnement minimum | -40 °C | |
| Tension d'alimentation de fonctionnement minimum | 2 V | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Taille mémoire 256Kbit | ||
Configuration 32K x 8 bits | ||
Type d'interface SPI | ||
Largeur de bus de données 8bit | ||
Type de montage CMS | ||
Type de boîtier SOIC | ||
Nombre de broches 8 | ||
Dimensions 4.97 x 3.98 x 1.47mm | ||
Tension d'alimentation fonctionnement maximum 3,6 V | ||
Température d'utilisation maximum +85 °C | ||
Nombre de mots 32K | ||
Nombre de bits par mot 8bit | ||
Température de fonctionnement minimum -40 °C | ||
Tension d'alimentation de fonctionnement minimum 2 V | ||
- Pays d'origine :
- US
Mémoire vive ferroélectrique de 256 kbits (F-RAM)
Organisé de façon logique en 32K x 8
Lecture/écriture haute endurance 100 billions (1014)
Conservation des données de 151 ans
NODELAY ® écrit
Processus ferroélectrique Advanced haute
Interface de périphérique série (SPI) très rapide
Fréquence jusqu'à 40 MHz
Remplacement direct du matériel pour la mémoire Flash série et l'EEPROM
Prend en charge le mode SPI 0 (0, 0) et le mode 3 (1, 1)
Schéma de protection en écriture sophistiqué
Protection matérielle à l'aide de la broche Write Protect (WP)
Protection logicielle à l'aide de l'instruction Write Disable
Protection de bloc logiciel pour 1/4, 1/2 ou toute la matrice
ID du dispositif
ID du fabricant et ID du produit
Faible consommation électrique
Courant actif de 2,5 mA à 40 MHz
Courant de veille de 150 μA
Courant en mode veille de 8 μA
Fonctionnement basse tension : VDD = 2 à 3,6 V.
Température industrielle : -40 à +85 °C.
Boîtiers
Boîtier SOIC (circuit intégré à petit contour) 8 broches
Boîtier sans câble plat double 8 broches (DFN)
Organisé de façon logique en 32K x 8
Lecture/écriture haute endurance 100 billions (1014)
Conservation des données de 151 ans
NODELAY ® écrit
Processus ferroélectrique Advanced haute
Interface de périphérique série (SPI) très rapide
Fréquence jusqu'à 40 MHz
Remplacement direct du matériel pour la mémoire Flash série et l'EEPROM
Prend en charge le mode SPI 0 (0, 0) et le mode 3 (1, 1)
Schéma de protection en écriture sophistiqué
Protection matérielle à l'aide de la broche Write Protect (WP)
Protection logicielle à l'aide de l'instruction Write Disable
Protection de bloc logiciel pour 1/4, 1/2 ou toute la matrice
ID du dispositif
ID du fabricant et ID du produit
Faible consommation électrique
Courant actif de 2,5 mA à 40 MHz
Courant de veille de 150 μA
Courant en mode veille de 8 μA
Fonctionnement basse tension : VDD = 2 à 3,6 V.
Température industrielle : -40 à +85 °C.
Boîtiers
Boîtier SOIC (circuit intégré à petit contour) 8 broches
Boîtier sans câble plat double 8 broches (DFN)