Mémoire FRAM, FM24CL16B-DG, 16Kbit, 2K x 8 bits, Série-2 fils, Série-I2C, DFN, 8 broches, 3,65 V

La mémoire vive ferroélectrique (F-RAM) est éco-énergétique et offre la plus grande fiabilité en termes de RAM non volatile à la fois pour les interfaces série et parallèle. Les pièces avec le suffixe A sont conçues pour les applications automobiles et sont certifiées AEC-Q100.

Mémoire vive ferroélectrique non volatile
Vitesse d'écriturerapide
Enduranceélevée
Faible consommation électrique

La mémoire vive ferromagnétique (F-RAM) de 16 kbits est organisée de façon logique en 2 K x 8
Lecture/écriture haute endurance 100 billions (1014)
Conservation des données de 151 ans
NODELAY ® écrit
Processus ferroélectrique Advanced haute
Interface série 2 fils rapide (I2C)
Fréquence jusqu'à 1 MHz
Remplacement matériel direct pour EEPROM série (I2C)
Prend en charge les temps existants pour 100 kHz et 400 kHz
Faible consommation électrique
Courant actif de 100 μA à 100 kHz
Courant de veille de 3 μA (typ)
Fonctionnement en tension : VDD = 2,7 à 3,65 V.
Température industrielle : -40 à +85 °C.
Boîtiers
Boîtier SOIC (circuit intégré à petit contour) 8 broches
Boîtier sans câble plat double 8 broches (DFN)

FRAM (RAM ferroélectrique)

La FRAM (mémoire vive ferroélectrique) est une mémoire non volatile qui utilise un film ferroélectrique comme condensateur pour stocker les données. Les périphériques ROM et RAM, F-RAM présentent les caractéristiques suivantes : un accès haut débit, une grande endurance en mode d'écriture, une consommation réduite, la non-volatilité et une excellente résistance aux violations. Il s'agit de la mémoire idéale pour les cartes à puce qui requièrent un niveau de sécurité élevé et une consommation réduite, tout comme les téléphones portables et d'autres périphériques.