- Code commande RS:
- 125-4213
- Référence fabricant:
- FM24CL64B-G
- Marque:
- Infineon
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3,15 €
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TTC
Unité | Prix par unité | le paquet* |
2 - 8 | 3,15 € | 6,30 € |
10 - 38 | 2,375 € | 4,75 € |
40 - 98 | 2,26 € | 4,52 € |
100 + | 2,115 € | 4,23 € |
*Prix donné à titre indicatif |
- Code commande RS:
- 125-4213
- Référence fabricant:
- FM24CL64B-G
- Marque:
- Infineon
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
FRAM, Cypress Semiconductor
La mémoire vive ferroélectrique (F-RAM) est éco-énergétique et offre la plus grande fiabilité en termes de RAM non volatile à la fois pour les interfaces série et parallèle. Les pièces avec le suffixe A sont conçues pour les applications automobiles et sont certifiées AEC-Q100.
Mémoire vive ferroélectrique non volatile
Vitesse d'écriturerapide
Enduranceélevée
Faible consommation électrique
Vitesse d'écriturerapide
Enduranceélevée
Faible consommation électrique
La mémoire vive ferroélectrique (F-RAM) de 64 kbits est organisée de façon logique en 8 K x 8
Lecture/écriture haute endurance 100 billions (1014)
Conservation des données de 151 ans
NODELAY ® écrit
Processus ferroélectrique Advanced haute
Interface série 2 fils rapide (I2C)
Fréquence jusqu'à 1 MHz
Remplacement matériel direct pour EEPROM série (I2C)
Prend en charge les temps existants pour 100 kHz et 400 kHz
Faible consommation électrique
Courant actif de 100 μA (typ) à 100 kHz
Courant de veille de 3 μA (typ)
Fonctionnement en tension : VDD = 2,7 à 3,65 V.
Température industrielle : -40 à +85 °C.
Boîtiers
Boîtier SOIC (circuit intégré à petit contour) 8 broches
Boîtier plat double sans câble (DFN) fin à 8 broches
Lecture/écriture haute endurance 100 billions (1014)
Conservation des données de 151 ans
NODELAY ® écrit
Processus ferroélectrique Advanced haute
Interface série 2 fils rapide (I2C)
Fréquence jusqu'à 1 MHz
Remplacement matériel direct pour EEPROM série (I2C)
Prend en charge les temps existants pour 100 kHz et 400 kHz
Faible consommation électrique
Courant actif de 100 μA (typ) à 100 kHz
Courant de veille de 3 μA (typ)
Fonctionnement en tension : VDD = 2,7 à 3,65 V.
Température industrielle : -40 à +85 °C.
Boîtiers
Boîtier SOIC (circuit intégré à petit contour) 8 broches
Boîtier plat double sans câble (DFN) fin à 8 broches
FRAM (RAM ferroélectrique)
La FRAM (mémoire vive ferroélectrique) est une mémoire non volatile qui utilise un film ferroélectrique comme condensateur pour stocker les données. Les périphériques ROM et RAM, F-RAM présentent les caractéristiques suivantes : un accès haut débit, une grande endurance en mode d'écriture, une consommation réduite, la non-volatilité et une excellente résistance aux violations. Il s'agit de la mémoire idéale pour les cartes à puce qui requièrent un niveau de sécurité élevé et une consommation réduite, tout comme les téléphones portables et d'autres périphériques.
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Taille mémoire | 64Kbit |
Configuration | 8K x 8 bits |
Type d'interface | Série-2 fils, Série-I2C |
Largeur de bus de données | 8bit |
Temps d'accès aléatoire maximum | 550ns |
Type de montage | CMS |
Type de boîtier | SOIC |
Nombre de broches | 8 |
Dimensions | 4.97 x 3.98 x 1.48mm |
Longueur | 4.97mm |
Tension d'alimentation fonctionnement maximum | 3,65 V |
Largeur | 3.98mm |
Hauteur | 1.48mm |
Température d'utilisation maximum | +85 °C |
Tension d'alimentation de fonctionnement minimum | 2,7 V |
Température de fonctionnement minimum | -40 °C |
Nombre de mots | 8K |
Standard automobile | AEC-Q100 |
Nombre de bits par mot | 8bit |