Mémoire FRAM, CY15V102QN-50SXE, 2Mbit, 256K x 8 bits, Série-SPI, SOIC, 8 broches, 1,89 V

La mémoire vive ferroélectrique (F-RAM) de 2 Mbits est organisée de façon logique en 256 K x 8
Endurance pratiquement illimitée de 10 billions (1 013) de cycles de lecture/écriture
Conservation des données 121 ans
NODELAY ® écrit
Processus ferroélectrique Advanced haute
Interface de périphérique série (SPI) rapide
Fréquence jusqu'à 50 MHz
Prend en charge le mode SPI 0 (0, 0) et le mode 3 (1, 1)
Schéma de protection en écriture sophistiqué
Protection matérielle à l'aide de la broche Write Protect (WP)
Protection logicielle à l'aide de l'instruction Write Disable (WRDI)
Protection de bloc logiciel pour 1/4, 1/2 ou toute la matrice
ID de périphérique et numéro de série
L'ID du dispositif inclut l'ID du fabricant et l'ID du produit
ID unique
Numéro de série
Mémoire F-RAM dédiée à 256 octets de secteur spécial
Écriture et lecture de secteur spécial dédiées
Le contenu stocké peut résister à 3 cycles de soudure par refusion standard
Faible consommation d'énergie
Courant actif de 3,7 mA (typ) à 40 MHz
Courant de veille de 2,7 μA (typ)
Courant de mode de mise hors tension profonde de 1,1 μA (typ)
Courant en mode Hibernation 0,1 μA (typ)
Fonctionnement basse tension :
CY15V102QN : VDD = 1,71 à 1,89 V.
CY15B102QN : VDD = 1,8 à 3,6 V.
Température d'utilisation automobile : -40 à +125 °C.
Conforme AEC-Q100 classe 1
Boîtier SOIC (Small Outline Integrated Circuit) 8 broches