- Code commande RS:
- 188-5407
- Référence fabricant:
- FM24W256-G
- Marque:
- Infineon
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Uniquement disponible en livraison standard
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Prix pour l'unité (en tube de 97)
6,625 €
HT
7,95 €
TTC
Unité | Prix par unité | le tube* |
97 - 97 | 6,625 € | 642,625 € |
194 - 194 | 5,955 € | 577,635 € |
291 - 485 | 5,922 € | 574,434 € |
582 - 970 | 5,545 € | 537,865 € |
1067 + | 5,313 € | 515,361 € |
*Prix donné à titre indicatif |
- Code commande RS:
- 188-5407
- Référence fabricant:
- FM24W256-G
- Marque:
- Infineon
Documentation technique
Législation et Conformité
- Pays d'origine :
- US
Détail produit
FRAM, Cypress Semiconductor
La mémoire vive ferroélectrique (F-RAM) est éco-énergétique et offre la plus grande fiabilité en termes de RAM non volatile à la fois pour les interfaces série et parallèle. Les pièces avec le suffixe A sont conçues pour les applications automobiles et sont certifiées AEC-Q100.
Mémoire vive ferroélectrique non volatile
Vitesse d'écriturerapide
Enduranceélevée
Faible consommation électrique
Vitesse d'écriturerapide
Enduranceélevée
Faible consommation électrique
Mémoire d'accès aléatoire ferroélectrique (F-RAM) 256 kbits organisée de façon logique en 32 K x 8
Lecture/écriture haute endurance 100 billions (1014)
Conservation des données de 151 ans
NODELAY ® écrit
Processus ferroélectrique Advanced haute
Interface série 2 fils rapide (I2C)
Fréquence jusqu'à 1 MHz
Remplacement matériel direct pour EEPROM série (I2C)
Prend en charge les temps existants pour 100 kHz et 400 kHz
Faible consommation électrique
Courant actif de 100 μA à 100 kHz
Courant de veille de 15 μA (typ)
Fonctionnement à large tension : VDD = 2,7 à 5,5 V.
Température industrielle : -40 à +85 °C.
Boîtier SOIC (circuit intégré à petit contour) 8 broches
Lecture/écriture haute endurance 100 billions (1014)
Conservation des données de 151 ans
NODELAY ® écrit
Processus ferroélectrique Advanced haute
Interface série 2 fils rapide (I2C)
Fréquence jusqu'à 1 MHz
Remplacement matériel direct pour EEPROM série (I2C)
Prend en charge les temps existants pour 100 kHz et 400 kHz
Faible consommation électrique
Courant actif de 100 μA à 100 kHz
Courant de veille de 15 μA (typ)
Fonctionnement à large tension : VDD = 2,7 à 5,5 V.
Température industrielle : -40 à +85 °C.
Boîtier SOIC (circuit intégré à petit contour) 8 broches
FRAM (RAM ferroélectrique)
La FRAM (mémoire vive ferroélectrique) est une mémoire non volatile qui utilise un film ferroélectrique comme condensateur pour stocker les données. Les périphériques ROM et RAM, F-RAM présentent les caractéristiques suivantes : un accès haut débit, une grande endurance en mode d'écriture, une consommation réduite, la non-volatilité et une excellente résistance aux violations. Il s'agit de la mémoire idéale pour les cartes à puce qui requièrent un niveau de sécurité élevé et une consommation réduite, tout comme les téléphones portables et d'autres périphériques.
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Taille mémoire | 256Kbit |
Configuration | 32K x 8 bits |
Type d'interface | I2C |
Largeur de bus de données | 8bit |
Temps d'accès aléatoire maximum | 3000ns |
Type de montage | CMS |
Type de boîtier | SOIC |
Nombre de broches | 8 |
Dimensions | 4.97 x 3.98 x 1.48mm |
Longueur | 4.97mm |
Largeur | 3.98mm |
Tension d'alimentation fonctionnement maximum | 5,5 V |
Hauteur | 1.48mm |
Température d'utilisation maximum | +85 °C |
Tension d'alimentation de fonctionnement minimum | 2,7 V |
Température de fonctionnement minimum | -40 °C |
Nombre de mots | 32k |
Standard automobile | AEC-Q100 |
Nombre de bits par mot | 8bit |