Série (I2C) FRAM automobile AEC-Q100 grade 1, I2C Infineon, 64 ko, 8K x 8 bits +85 °C -40 °C, 8 broches, SOIC-8
- Code commande RS:
- 273-7381
- Référence fabricant:
- FM24CL64B-DG
- Marque:
- Infineon
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|---|---|
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 273-7381
- Référence fabricant:
- FM24CL64B-DG
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | Série (I2C) FRAM automobile | |
| Taille de la mémoire | 64ko | |
| Configuration | 8K x 8 bits | |
| Type d'interface | I2C | |
| Largeur de bus de données | 8bit | |
| Fréquence d'horloge maximum | 1MHz | |
| Type de Boitier | SOIC-8 | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Température d'utilisation maximum | +85°C | |
| Standard automobile | AEC-Q100 grade 1 | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Nombre de bits par mot | 8 | |
| Tension d'alimentation minimum | 2.70V | |
| Nombre de mots | 8K | |
| Tension d'alimentation maximum | 3.6V | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit Série (I2C) FRAM automobile | ||
Taille de la mémoire 64ko | ||
Configuration 8K x 8 bits | ||
Type d'interface I2C | ||
Largeur de bus de données 8bit | ||
Fréquence d'horloge maximum 1MHz | ||
Type de Boitier SOIC-8 | ||
Nombre de broches 8 | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Température d'utilisation maximum +85°C | ||
Standard automobile AEC-Q100 grade 1 | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Nombre de bits par mot 8 | ||
Tension d'alimentation minimum 2.70V | ||
Nombre de mots 8K | ||
Tension d'alimentation maximum 3.6V | ||
La FRAM d'Infineon est une mémoire non volatile de 64 Kbits utilisant un processus ferroélectrique avancé. Une mémoire ferroélectrique à accès aléatoire (FRAM) est non volatile et effectue des lectures et des écritures similaires à celles d'une mémoire vive (RAM). Elle permet une conservation fiable des données pendant 121 ans tout en éliminant les complexités, les frais généraux et les problèmes de fiabilité au niveau du système causés par l'EEPROM et d'autres mémoires non volatiles. Contrairement à l'EEPROM, il effectue des opérations d'écriture à la vitesse de bus. Aucun délai d'écriture n'est encouru. Les données sont écrites dans le tableau mémoire immédiatement après que chaque octet a été transféré avec succès sur le périphérique. Le cycle de bus suivant peut commencer sans avoir besoin d'un sondage de données. En outre, le produit offre une endurance d'écriture substantielle par rapport aux autres mémoires non volatiles.
Conforme à la directive RoHS
Faible consommation d'énergie
Interface série rapide à 2 fils
Conforme à AEC Q100 classe 1
Endurance élevée 10 trillions de lectures et d'écritures
Processus ferroélectrique avancé haute fiabilité
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