Mémoire SRAM Alliance Memory 2 Mo SOP-28 28 broches
- Code commande RS:
- 286-350
- Référence fabricant:
- CY62256NLL-55SNXI
- Marque:
- Alliance Memory
Indisponible
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- Code commande RS:
- 286-350
- Référence fabricant:
- CY62256NLL-55SNXI
- Marque:
- Alliance Memory
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Alliance Memory | |
| Taille de la mémoire | 2Mo | |
| Type de produit | Mémoire SRAM | |
| Nombre de mots | 128k | |
| Temps d'accès aléatoire maximum | 55ns | |
| Tension d'alimentation minimum | 4.5V | |
| Type de timing | Asynchrone | |
| Tension d'alimentation maximum | 5.5V | |
| Type de montage | En surface | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Type de Boitier | SOP-28 | |
| Nombre de broches | 28 | |
| Température d'utilisation maximum | 85°C | |
| Série | CY62256NLL | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Courant d'alimentation | 50mA | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Alliance Memory | ||
Taille de la mémoire 2Mo | ||
Type de produit Mémoire SRAM | ||
Nombre de mots 128k | ||
Temps d'accès aléatoire maximum 55ns | ||
Tension d'alimentation minimum 4.5V | ||
Type de timing Asynchrone | ||
Tension d'alimentation maximum 5.5V | ||
Type de montage En surface | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Type de Boitier SOP-28 | ||
Nombre de broches 28 | ||
Température d'utilisation maximum 85°C | ||
Série CY62256NLL | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Courant d'alimentation 50mA | ||
Standard automobile Non | ||
La mémoire statique CMOS de l'Alliance est organisée en 32K mots de 8 bits. Il permet une extension facile de la mémoire avec une activation de puce (CE) et une activation de sortie (OE) actives LOW, avec des pilotes tristate. L'appareil comprend une fonction de mise hors tension automatique qui réduit la consommation d'énergie de 99,9 % lorsqu'elle est désélectionnée. Un signal d'activation d'écriture actif de niveau BAS contrôle les opérations d'écriture et de lecture. Les données sont écrites lorsque les entrées CE et WE sont toutes deux au niveau BAS. Pour la lecture, l'appareil est sélectionné et les sorties sont activées tandis que WE reste HIGH. Les broches d'entrée ou de sortie sont dans un état de haute impédance à moins que la puce ne soit sélectionnée, que les sorties ne soient activées et que WE ne soit HIGH.
Extension facile de la mémoire avec les fonctions CE et OE
Entrées et sorties compatibles TTL
Mise hors tension automatique en cas de désélection
CMOS pour une vitesse et une puissance optimales
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