SRAM ISSI 4 MB TSOP 44 broches

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Code commande RS:
170-2043
Référence fabricant:
IS62WV25616BLL-55TLI
Marque:
ISSI
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Marque

ISSI

Taille de la mémoire

4Mo

Type de produit

SRAM

Nombre de mots

256K

Nombre de bits par mot

16

Temps d'accès aléatoire maximum

55ns

Largeur de bus d'adresse

18bit

Type de timing

Asynchrone

Tension d'alimentation minimum

2.5V

Tension d'alimentation maximum

3.6V

Type de montage

Surface

Type de Boitier

TSOP

Température minimum de fonctionnement

-40°C

Température d'utilisation maximum

85°C

Nombre de broches

44

Longueur

18.52mm

Hauteur

1.05mm

Série

IS62WV25616BLL

Normes/homologations

No

Courant d'alimentation

45mA

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
TW

RAM statique, ISSI


Les RAM statiques ISSI utilisent une technologie CMOS très performante. La gamme de RAM statiques est très complète, avec notamment les SRAM asynchrones haut débit 5 V, les SRAM asynchrones haut débit faible consommation, les RAM statiques CMOS ultra-basse consommation et les SRAM asynchrones faible consommation PowerSaverTM. Les circuits SRAM ISSI sont proposés avec plusieurs tensions, taille de mémoire et organisations. Ils sont adaptés dans le cadre d'applications telles que la mémoire cache du processeur, les processeurs intégrés, les disques durs et les commutateurs pour l'électronique industrielle.

Alimentation 1,8 V / 3,3 V / 5 V

Boîtiers disponibles : BGA, SOJ, SOP, sTSOP, TSOP

Choix de configuration disponibles : x8 et x16

Fonction EEC disponible pour SRAM asynchrone haute vitesse

SRAM (Static Random Access Memory ou mémoire statique)


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