Puce mémoire SRAM Infineon 4Mbit 512 K x 8

Le CY7C1049GN est un dispositif RAM statique rapide CMOS haute performance organisé en 512 K mots par 8 bits. L'écriture de données est effectuée en affirmant les entrées LOW d'activation par puce (CE) et d'accès en écriture (WE), tout en fournissant les données sur E/S0 à E/S7 et l'adresse sur A0 à A18. La lecture de données est effectuée en affirmant les entrées LOW d'activation par puce (CE) et d'activation de sortie (OE), tout en fournissant l'adresse requise sur les lignes d'adresse. Les données en lecture sont accessibles sur les lignes E/S (E/S0 à E/S7). Toutes les E/S (E/S0 à E/S7) sont placées dans un état de haute impédance pendant les événements suivants : L'appareil est désactivé (CE HIGH). Le signal de commande OE n'est pas affirmé.

Grande vitesse
tAA = 10 ns
Faibles courants actifs et de veille
Courant actif : ICC = 38 mA typique
Courant de veille : ISB2 = 6 mA typique
Plage de tension d'utilisation : 1,65 à 2,2 V, 2,2 à 3,6 V, et
4,5 à 5,5 V
Conservation des données 1 V
Entrées et sorties compatibles TTL
Boîtiers SOJ 36 broches et TSOP II 44 broches sans plomb