Puce mémoire SRAM Traversant Infineon 4Mbit 512 k x 8 bits SOJ 36 broches

CY7C1049G et CY7C1049GE sont des dispositifs de RAM statique rapide CMOS hautes performances avec ECC intégré. Les deux dispositifs sont proposés en options d'activation à puce simple et double et en configurations à broches multiples. Le dispositif CY7C1049GE inclut une broche ERR qui signale un événement de détection et de correction d'erreur pendant un cycle de lecture. L'écriture de données est effectuée en affirmant les entrées LOW d'activation par puce (CE) et d'accès en écriture (WE), tout en fournissant les données sur E/S0 à E/S7 et l'adresse sur A0 à A18. La lecture de données est effectuée en affirmant les entrées LOW d'activation par puce (CE) et d'activation de sortie (OE), tout en fournissant l'adresse requise sur les lignes d'adresse. Les données en lecture sont accessibles sur les lignes E/S (E/S0 à E/S7).

Grande vitesse
tAA = 10 ns
ECC intégré pour la correction d'erreur à un bit [1, 2]
Faibles courants actifs et de veille
Courant actif : ICC = 38 mA typique
Courant de veille : ISB2 = 6 mA typique
Plage de tension d'utilisation : 1,65 à 2,2 V, 2,2 à 3,6 V, et 4,5 à 5,5 V.
Conservation des données de 1 V.
Entrées et sorties compatibles TTL
Broche d’indication d'erreur (ERR) pour indiquer la détection et la correction d'erreur de 1 bit.
Boîtiers SOJ 36 broches et TSOP II 44 broches sans plomb