Mémoire SRAM Renesas Electronics 1Mbit 64 K x 16

La RAM statique asynchrone de Renesas Electronics est une RAM statique haute vitesse de 1 048 576 bits organisée en 64 K x 16. Il est fabriqué à l'aide de la technologie CMOS haute performance et haute fiabilité. Cette technologie de pointe, combinée à des techniques de conception de circuit innovantes, fournit une solution économique pour les besoins de mémoire haute vitesse. Il est doté d'une broche d'activation de sortie qui fonctionne jusqu'à 5 ns, avec des temps d'accès à l'adresse jusqu'à 10 ns. Toutes les entrées et sorties bidirectionnelles de ce produit sont compatibles LVTTL et fonctionnent à partir d'une seule alimentation de 3,3 V. Des circuits asynchrones entièrement statiques sont utilisés, ne nécessitant pas d'horloges ou de rafraîchissement pour le fonctionnement. Il est emballé dans un SOJ en plastique 44 broches standard JEDEC, un TSOP type II 44 broches et un FBGA 7 x 7 mm à 48 billes en plastique.

64 K x 16 RAM statique CMOS haut débit avancé, sélection d'une puce et d'une broche de sortie d'activation Entrées et sorties de données bidirectionnelles directement compatibles LVTTL Faible consommation d'énergie via la désélection d'octets de puce Broches d'activation supérieures et inférieures Alimentation simple de 3,3 V disponible dans des boîtiers SOJ en plastique à 44 broches, TSOP à 44 broches et FBGA en plastique à 48 billes Plage de températures industrielles (–40 °C à +85 °C) disponible pour les vitesses sélectionnées Pièces vertes disponibles, voir les informations de commande