Mémoire SRAM Renesas Electronics 1 Mo 44 broches
- Code commande RS:
- 254-4963
- Référence fabricant:
- 71V016SA12PHGI
- Marque:
- Renesas Electronics
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 2,958 € | 14,79 € |
| 10 - 20 | 2,67 € | 13,35 € |
| 25 - 45 | 2,63 € | 13,15 € |
| 50 - 70 | 2,578 € | 12,89 € |
| 75 + | 2,524 € | 12,62 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 254-4963
- Référence fabricant:
- 71V016SA12PHGI
- Marque:
- Renesas Electronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Renesas Electronics | |
| Taille de la mémoire | 1Mo | |
| Type de produit | Mémoire SRAM | |
| Nombre de mots | 65536 Words | |
| Nombre de bits par mot | 16 | |
| Temps d'accès aléatoire maximum | 12ns | |
| Largeur de bus d'adresse | 16bit | |
| Type de timing | Asynchrone | |
| Tension d'alimentation minimum | 3V | |
| Tension d'alimentation maximum | 3.6V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Température d'utilisation maximum | 85°C | |
| Nombre de broches | 44 | |
| Série | 71V016SA | |
| Normes/homologations | JEDEC | |
| Hauteur | 7mm | |
| Longueur | 7mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Courant d'alimentation | 170mA | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Renesas Electronics | ||
Taille de la mémoire 1Mo | ||
Type de produit Mémoire SRAM | ||
Nombre de mots 65536 Words | ||
Nombre de bits par mot 16 | ||
Temps d'accès aléatoire maximum 12ns | ||
Largeur de bus d'adresse 16bit | ||
Type de timing Asynchrone | ||
Tension d'alimentation minimum 3V | ||
Tension d'alimentation maximum 3.6V | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Température d'utilisation maximum 85°C | ||
Nombre de broches 44 | ||
Série 71V016SA | ||
Normes/homologations JEDEC | ||
Hauteur 7mm | ||
Longueur 7mm | ||
Standard automobile Non | ||
Courant d'alimentation 170mA | ||
La RAM statique asynchrone de Renesas Electronics est une RAM statique haute vitesse de 1 048 576 bits organisée en 64 K x 16. Il est fabriqué à l'aide de la technologie CMOS haute performance et haute fiabilité. Cette technologie de pointe, combinée à des techniques de conception de circuit innovantes, fournit une solution économique pour les besoins de mémoire haute vitesse. Il est doté d'une broche d'activation de sortie qui fonctionne jusqu'à 5 ns, avec des temps d'accès à l'adresse jusqu'à 10 ns. Toutes les entrées et sorties bidirectionnelles de ce produit sont compatibles LVTTL et fonctionnent à partir d'une seule alimentation de 3,3 V. Des circuits asynchrones entièrement statiques sont utilisés, ne nécessitant pas d'horloges ou de rafraîchissement pour le fonctionnement. Il est emballé dans un SOJ en plastique 44 broches standard JEDEC, un TSOP type II 44 broches et un FBGA 7 x 7 mm à 48 billes en plastique.
RAM statique CMOS haute vitesse avancée 64 K x 16
Broche d'activation de sélection d'une puce et d'une sortie
Faible consommation d'énergie via la désélection de la puce
Broches d'activation d'octet supérieur et inférieur
Alimentation unique de 3,3 V
Disponible en boîtiers SOJ en plastique à 44 broches, TSOP à 44 broches et FBGA en plastique à 48 billes
Plage de températures industrielles (–40 °C à +85 °C) disponible pour les vitesses sélectionnées
Pièces vertes disponibles, voir les informations de commande
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