SRAM Renesas Electronics 16ko 2K x 8

La mémoire SRAM CMOS de Renesas Electronics est organisée en 2 K x 8. La SRAM offre un mode de veille à consommation réduite. La version faible consommation (LA) offre également une capacité de rétention de données de batterie de secours où le circuit ne consomme généralement que 1 à 4 μW fonctionnant sur une batterie de 2 V. Toutes les entrées et sorties sont compatibles TTL. Des circuits asynchrones entièrement statiques sont utilisés, ne nécessitant pas d'horloges ou de rafraîchissement pour le fonctionnement. Produit de classe militaire disponible.

Faible consommation
Fonctionnement par batterie de secours Tension de rétention de données 2 V
Fabriqué avec la technologie CMOS avancée à hautes performances
Le processus CMOS élimine pratiquement les taux d'erreur souple des particules alpha
Entrée et sortie directement compatibles TTL
Aucune horloge ou rafraîchissement requis