SRAM Renesas Electronics 1 Mo SOJ 32 broches
- Code commande RS:
- 264-1293
- Référence fabricant:
- 71024S20TYG8
- Marque:
- Renesas Electronics
Sous-total (1 bobine de 1000 unités)*
2 909,00 €
HT
3 491,00 €
TTC
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 1000 + | 2,909 € | 2 909,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 264-1293
- Référence fabricant:
- 71024S20TYG8
- Marque:
- Renesas Electronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Renesas Electronics | |
| Taille de la mémoire | 1Mo | |
| Type de produit | SRAM | |
| Nombre de mots | 128k | |
| Nombre de bits par mot | 8 | |
| Temps d'accès aléatoire maximum | 20ns | |
| Tension d'alimentation minimum | 4.5V | |
| Type de timing | Asynchrone | |
| Tension d'alimentation maximum | 5.5V | |
| Type de montage | En surface | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Type de Boitier | SOJ | |
| Nombre de broches | 32 | |
| Température d'utilisation maximum | 70°C | |
| Série | 71024S | |
| Largeur | 7.6mm | |
| Longueur | 21.95mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 2.67mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Courant d'alimentation | 160mA | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Renesas Electronics | ||
Taille de la mémoire 1Mo | ||
Type de produit SRAM | ||
Nombre de mots 128k | ||
Nombre de bits par mot 8 | ||
Temps d'accès aléatoire maximum 20ns | ||
Tension d'alimentation minimum 4.5V | ||
Type de timing Asynchrone | ||
Tension d'alimentation maximum 5.5V | ||
Type de montage En surface | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Type de Boitier SOJ | ||
Nombre de broches 32 | ||
Température d'utilisation maximum 70°C | ||
Série 71024S | ||
Largeur 7.6mm | ||
Longueur 21.95mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 2.67mm | ||
Standard automobile Non | ||
Courant d'alimentation 160mA | ||
- Pays d'origine :
- TW
La RAM statique haute vitesse de Renesas Electronics est organisée en 128 K x 8. Il est fabriqué à l'aide de la technologie CMOS haute performance et haute fiabilité. Cette technologie de pointe, combinée à des techniques de conception de circuit innovantes, fournit une solution économique pour les besoins de mémoire haute vitesse.
Faible consommation d'énergie via désélection de puce
Disponible en SOJ en plastique 300 et 400 mil
Accès et temps de cycle égaux
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