SRAM Infineon 4 MB TSOP II 44 broches

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Code commande RS:
273-7351
Référence fabricant:
CY7C1041G-10ZSXI
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

SRAM

Taille de la mémoire

4MB

Configuration

256 K x 16

Nombre de mots

256K

Nombre de bits par mot

16

Tension d'alimentation minimum

0.5V

Type de montage

Surface

Tension d'alimentation maximum

0.5V

Température minimum de fonctionnement

-40°C

Type de Boitier

TSOP II

Température d'utilisation maximum

85°C

Nombre de broches

44

Normes/homologations

RoHS

Hauteur

10.26mm

Longueur

18.51mm

Largeur

1.19 mm

Série

CY7C1041G

Courant d'alimentation

45mA

La RAM statique d'Infineon est un dispositif de RAM statique rapide CMOS hautes performances avec ECC intégré. Ce dispositif de RAM statique est proposé en option d'activation à puce unique et en configurations à broches multiples. Ce dispositif inclut une broche ERR qui signale une détection d'erreur et un événement de correction pendant un cycle de lecture. Les écritures de données sont effectuées en affirmant que les entrées d'activation de puce et d'activation d'écriture sont Faibles, tout en fournissant les données sur les broches IO 0 à IO 15 et l'adresse sur les broches A0 à A17. Les entrées « byte high enable » et « byte low enable » contrôlent les opérations d'écriture sur les octets supérieurs et inférieurs de l'emplacement de mémoire spécifié.

Haute vitesse

Faibles courants actifs et en veille

Détection et correction d'erreur 1 bits

Entrées et sorties compatibles TTL

ECC intégré pour la correction d'erreur à un seul bit

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