SRAM ISSI 1 Mo TSOP 44 broches

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811-5197
Référence fabricant:
IS61WV6416DBLL-10TLI
Marque:
ISSI
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Marque

ISSI

Taille de la mémoire

1Mo

Type de produit

SRAM

Configuration

64K x 16 bits

Nombre de mots

64K

Nombre de bits par mot

16

Temps d'accès aléatoire maximum

10ns

Largeur de bus d'adresse

16bit

Tension d'alimentation minimum

2.4V

Type de timing

Asynchrone

Tension d'alimentation maximum

3.6V

Type de montage

En surface

Type de Boitier

TSOP

Température minimum de fonctionnemen

-40°C

Température d'utilisation maximum

85°C

Nombre de broches

44

Hauteur

1.05mm

Série

IS61WV6416DBLL

Largeur

10.29mm

Normes/homologations

No

Longueur

18.54mm

Standard automobile

Non

RAM statique, ISSI


Les RAM statiques ISSI utilisent une technologie CMOS très performante. La gamme de RAM statiques est très complète, avec notamment les SRAM asynchrones haut débit 5 V, les SRAM asynchrones haut débit faible consommation, les RAM statiques CMOS ultra-basse consommation et les SRAM asynchrones faible consommation PowerSaverTM. Les circuits SRAM ISSI sont proposés avec plusieurs tensions, taille de mémoire et organisations. Ils sont adaptés dans le cadre d'applications telles que la mémoire cache du processeur, les processeurs intégrés, les disques durs et les commutateurs pour l'électronique industrielle.

Alimentation 1,8 V / 3,3 V / 5 V

Boîtiers disponibles : BGA, SOJ, SOP, sTSOP, TSOP

Choix de configuration disponibles : x8 et x16

Fonction EEC disponible pour SRAM asynchrone haute vitesse

SRAM (Static Random Access Memory ou mémoire statique)


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