Mémoire tampon 16 canaux Driver Pousser-tirer Microchip 105 billes 9 x 9 mm TFBGA
- Code commande RS:
- 242-5131P
- Référence fabricant:
- HV53001-E/KWX
- Marque:
- Microchip
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|---|---|
| 10 - 24 | 10,57 € |
| 25 - 49 | 10,28 € |
| 50 - 99 | 10,02 € |
| 100 + | 9,78 € |
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- Code commande RS:
- 242-5131P
- Référence fabricant:
- HV53001-E/KWX
- Marque:
- Microchip
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Microchip | |
| Type de produit | Mémoire tampon | |
| Fonction logique | Driver | |
| Nombre de canaux | 16 | |
| Type d'entrée | Haute impédance Power down | |
| Type de sortie | Pousser-tirer | |
| Type de Boitier | 105 billes 9 x 9 mm TFBGA | |
| Tension d'alimentation minimum | 2.7V | |
| Tension d'alimentation maximum | 5.5V | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Microchip | ||
Type de produit Mémoire tampon | ||
Fonction logique Driver | ||
Nombre de canaux 16 | ||
Type d'entrée Haute impédance Power down | ||
Type de sortie Pousser-tirer | ||
Type de Boitier 105 billes 9 x 9 mm TFBGA | ||
Tension d'alimentation minimum 2.7V | ||
Tension d'alimentation maximum 5.5V | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
Le circuit Microchip HV53001 est une solution de driver intégrée pour diverses applications, qui se compose de trois blocs fonctionnels principaux (1), d'un driver haute tension, (2) d'une interface SPI et (3) d'un contrôleur de boost c.c./c.c. avec transistor MOSFET de puissance.
Driver push-pull 16 canaux avec fonction de retour à zéro (RTZ) et haute impédance (Hi-Z)
Sortie de capteur de courant
Interface SPI avec architecture Quad-Latch (2 bits/chanel)
Fonction de reset d'alimentation
Convertisseur de boost c.c./c.c. avec transistor MOSFET de puissance (2,7 à 5,5 V)