Carte d'évaluation Convertisseur CC-CC Industriel, alimentations

Cette carte d'évaluation présente une solution de système complète Infineon extrêmement efficace pour un convertisseur c.c.-c.c. bidirectionnel de 3 300 W ciblant les applications de télécommunications, d'alimentation par formation de batterie et de robotique industrielle.
Le transistor MOSFET à superconnexion CFD7 CoolMOSTM 600 V d'Infineon dans un boîtier ThinPAK est le dispositif à diode à corps rapide le plus récent et le plus performant. Combiné avec un boîtier à faible parasitisme et une disposition optimisée, il atteint d'excellentes performances avec un minimum de contrainte. Le concept de refroidissement innovant présenté dans cette carte permet ses performances remarquables.
Cette carte atteint un rendement de 98 % en mode abaisseur et de 97 % en mode boost. La densité de puissance atteinte est de l'ordre de 4,34 W/cm3 (71,19 W/pouce3), ce qui est possible grâce à l'utilisation de boîtiers CMS et à la structure magnétique empilée novatrice.

Lorsqu'il est combiné avec les dernières technologies d'Infineon, ce convertisseur c.c.-c.c. prouve la faisabilité et le haut rendement des conceptions PSFB au niveau des topologies entièrement résonantes.
L'EVAL_3K3W_BIDI_PSFB montre également que la topologie PSFB peut être utilisée comme un étage c.c.-c.c. bidirectionnel sans changement dans la conception standard ou la construction d'une topologie traditionnelle et bien connue. Ceci est réalisé grâce aux innovations dans les techniques de commande alimentées par la commande numérique et les microcontrôleurs XMCTM.

•PSFB à haut rendement
•PSFB haute densité de puissance
•PSFB bidirectionnel
•PSFB à commande numérique
•Nouveau concept magnétique intégré
•Nouveau concept de refroidissement CMS

•Meilleure et dernière technologie de diode à corps rapide HV d'Infineon
•Meilleure et dernière technologie de redresseurs synchrones LV d'Infineon
•Capacité bidirectionnelle du PSFB (breveté)
•Nouveau concept magnétique intégré
•Nouveau concept de refroidissement CMS

•MOSFET de superconjonction CoolMOSTM CFD7 de 600 V (IPL60R075CFD7) 222-4912
•Diode Schottky CoolSiCTM 650 V G6 (IDH08G65C6) 216-8382
•MOSFET de superconjonction CoolMOSTM à 800 V (IPU80R4K5P7) 222-4717
•Transistor MOSFET de puissance OptiMOSTM 5 de 150 V dans un boîtier Super SO-8 (BSC093N15NS5) 214-4325
•EiceDRIVERTM 2EDS IC de contrôleur de porte isolé (2EDS8265H) 258-0627
•EiceDRIVERTM 2EDF Pilote de porte isolée IC (2EDF7275F) 244-0940
•Microcontrôleur XMC4200 pour la mise en œuvre de contrôle (XMC4200-F64k256BA) 258-1749
•Contrôleur PWM flyback quasi-résonant (ICE5QSAG)
•Diode Schottky AF de puissance moyenne (BAT165) 249-6997
•Régulateur de tension abaisseur c.c.-c.c. (IFX91041EJV33)