Carte d'évaluation Driver de MOSFET Carte mère d'évaluation 2ED2410-EM 24 V Gate Driver, Power MOSFET

Cette carte fille appartient à une famille de cartes d'évaluation qui peuvent être combinées avec la carte mère d'évaluation 2ED2410-EM 24 V (EB 2ED2410 3M). Ces cartes-filles sont utilisées pour aborder différents MOSFET et arrangements de shunt typiquement trouvés dans les distributions d'alimentation automobiles modernes pour les réseaux de carte de 12 et 24 V.

Cette carte fille EB 2ED2410 3D 1BCDP aborde un canal de charge et se compose de deux MOSFET de puissance OptiMOSTM5 de 60 V (1,1 mOhm) dans une configuration de drain commun back2back. En outre, la charge peut être préchargée avec un chemin de précharge dédié.

•EB 2ED2410 3D 1BCS : MOSFET de puissance 60 V OptiMOSTM5 (1,1 mOhm), back2back - source commune, shunt de 0,5 mOhm
•EB 2ED2410 3D 1BCD : MOSFET de puissance 60 V OptiMOSTM5 (1,1 mOhm), back2back - drain commun, shunt de 0,5 mOhm
•EB 2ED2410 3D 1BCSP : MOSFET de puissance 60 V OptiMOSTM5 (1,1 mOhm), back2back - source commune, shunt de 0,5 mOhm, avec précharge

•Adapté aux réseaux de carte 12 et 24 V
•Combinaison avec la carte mère d'évaluation 2ED2410-EM 24 V (EB 2ED2410 3M)
•Résistance shunt 0,5 mOhm
•Transistor MOSFET de puissance OptiMOSTM5 de 60 V (1,1 Ohm) adapté aux réseaux de carte de 12 et 24 V
•Surveillance de la température MOSFET avec des résistances NTC
•Chemin de précharge dédié pour les charges avec une capacité d'entrée élevée
•Courant nominal jusqu'à 20 A en continu ou 30 A pendant 10 min