Carte d'évaluation Driver de MOSFET Guide de l'utilisateur des cartes mères/filles d'évaluation Gate Driver, Power
- Code commande RS:
- 273-2059
- Référence fabricant:
- EB2ED24103D1BCDTOBO1
- Marque:
- Infineon
Fonctionnalité momentanément indisponible
Uniquement disponible en livraison standard
Ajouté
Prix pour la pièce
88,38 €
HT
106,06 €
TTC
Unité | Prix par unité |
1 - 1 | 88,38 € |
2 - 4 | 86,05 € |
5 - 9 | 83,84 € |
10 + | 81,76 € |
- Code commande RS:
- 273-2059
- Référence fabricant:
- EB2ED24103D1BCDTOBO1
- Marque:
- Infineon
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
EiceDRIVER™ APD 2ED2410-EM - Carte-fille MOSFET d'évaluation 24 V, drain commun
Cette carte fille appartient à une famille de cartes d'évaluation qui peut être combinée avec la carte mère d'évaluation 2ED2410-EM 24 V (EB 2ED2410 3M). Ces cartes-filles sont utilisées pour aborder différents MOSFET et arrangements de shunt typiquement trouvés dans les distributions d'alimentation automobiles modernes pour les réseaux de carte de 12 et 24 V.
Cette carte fille EB 2ED2410 3D 1BCD aborde un canal de charge et se compose de deux MOSFET de puissance OptiMOSTM5 de 60 V (1,1 mOhm) dans une configuration de drain commun back2back.
Cette carte fille EB 2ED2410 3D 1BCD aborde un canal de charge et se compose de deux MOSFET de puissance OptiMOSTM5 de 60 V (1,1 mOhm) dans une configuration de drain commun back2back.
Les autres cartes-filles suivantes sont disponibles :
EB 2ED2410 3D 1BCS : MOSFET de puissance 60 V OptiMOSTM5 (1,1 mOhm), back2back - source commune, shunt de 0,5 mOhm
EB 2ED2410 3D 1BCDP : MOSFET de puissance 60 V OptiMOSTM5 (1,1 mOhm), back2back - drain commun, shunt de 0,5 mOhm, avec précharge
EB 2ED2410 3D 1BCSP : MOSFET de puissance 60 V OptiMOSTM5 (1,1 mOhm), back2back - source commune, shunt de 0,5 mOhm, avec précharge
EB 2ED2410 3D 1BCDP : MOSFET de puissance 60 V OptiMOSTM5 (1,1 mOhm), back2back - drain commun, shunt de 0,5 mOhm, avec précharge
EB 2ED2410 3D 1BCSP : MOSFET de puissance 60 V OptiMOSTM5 (1,1 mOhm), back2back - source commune, shunt de 0,5 mOhm, avec précharge
Résumé des caractéristiques
Adapté aux réseaux de carte 12 et 24 V
Combinaison avec la carte mère d'évaluation 2ED2410-EM 24 V (EB 2ED2410 3M)
Résistance shunt 0,5 mOhm
Transistor MOSFET de puissance OptiMOSTM5 de 60 V (1,1 Ohm) adapté aux réseaux de carte de 12 et 24 V
Surveillance de la température MOSFET avec des résistances NTC
Courant nominal jusqu'à 20 A en continu ou 30 A pendant 10 min
Combinaison avec la carte mère d'évaluation 2ED2410-EM 24 V (EB 2ED2410 3M)
Résistance shunt 0,5 mOhm
Transistor MOSFET de puissance OptiMOSTM5 de 60 V (1,1 Ohm) adapté aux réseaux de carte de 12 et 24 V
Surveillance de la température MOSFET avec des résistances NTC
Courant nominal jusqu'à 20 A en continu ou 30 A pendant 10 min
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Fonction de gestion de l'alimentation | Driver de MOSFET |
Pour être utilisé avec | Guide de l'utilisateur des cartes mères/filles d'évaluation |
Classification du kit | Carte d'évaluation |
Dispositif | Gate Driver, Power MOSFET |
Nom du kit | EB 2ED2410 3D 1BCD |
- Code commande RS:
- 273-2059
- Référence fabricant:
- EB2ED24103D1BCDTOBO1
- Marque:
- Infineon
Nos clients ont également consulté
- Carte d'évaluation Gestion de l'alimentation Carte-fille SPOC 2
- Carte fille Gestion de l'alimentation Carte mère SPOC 2
- Carte fille Gestion de l'alimentation Combinaison avec la carte-mère SPOC 2
- Carte fille de l'alimentation Carte mère de drivers de grille...
- Carte d'évaluation Driver de moteur Transistor MOS Gate Driver IC
- Carte d'évaluation Driver de moteur Driver de moteur BLDC Gate Driver, IGBT
- Carte d'évaluation Carte d'évaluation Carte mère PROFET Power Switch
- Carte d'évaluation Driver de MOSFET Carte mère d'évaluation...